出緩后立刻進(jìn)入第二段TLC直寫(xiě)階段，并且直寫(xiě)速度達(dá)到了驚人的2500MB/s左右。

當(dāng)TLC區(qū)域用光后，進(jìn)入了第三段WriteBack懲罰階段，此時(shí)SSD要一邊將SLC緩存中的數(shù)據(jù)重新釋放為T(mén)LC區(qū)域，一邊還要兼顧新數(shù)據(jù)的寫(xiě)入，所以性能有所下降。即便如此，在第三段的平均速度也能達(dá)到900MB/s上下，性能非常強(qiáng)勁。

接下來(lái)我們?cè)賮?lái)看看三星990 EVO Plus的寫(xiě)入曲線(xiàn)：

三星990 EVO Plus 1TB的SLC緩存給的有點(diǎn)小，空盤(pán)情況下只有108GB左右，不過(guò)緩內(nèi)寫(xiě)入速度挺不錯(cuò)，能達(dá)到6200MB/s左右。

雖然不是全盤(pán)模擬方案，但是三星還是選擇了把WriteBack懲罰前置，在SLC緩存耗盡后直接進(jìn)入WriteBack懲罰階段，寫(xiě)入速度大幅度下降至不到1000MB/s，并且波動(dòng)很大，穩(wěn)不下來(lái)。

感覺(jué)三星的存儲(chǔ)固件部門(mén)有些吃老本了，這個(gè)懶惰的回收策略其實(shí)挺讓人摸不著頭腦的。本身990 EVO Plus給的SLC緩存就較小，不利于爆發(fā)式寫(xiě)入任務(wù)，這下出緩后直接進(jìn)入性能懲罰？緩內(nèi)緩?fù)舛紱](méi)吃到紅利，就讓人有點(diǎn)麻爪。

西數(shù)SN770 1TB的全盤(pán)讀寫(xiě)曲線(xiàn)如下圖所示：

西數(shù)SN770采用的是典型的全盤(pán)模擬SLC緩存方案，雖然緩內(nèi)空間很大，在空盤(pán)狀態(tài)下達(dá)到了全盤(pán)的1/3容量，緩內(nèi)寫(xiě)入的表現(xiàn)也不錯(cuò)，但是一旦遇到真正的超大量數(shù)據(jù)寫(xiě)入，SLC Cache耗盡后，寫(xiě)入速度就會(huì)一落千丈，WriteBack懲罰階段直接跌落至500MB/s左右的速度。

本來(lái)以為SN770作為西數(shù)在PCIe4.0時(shí)代的旗艦級(jí)黑盤(pán)，會(huì)延續(xù)SN750的輝煌表現(xiàn)，沒(méi)想到它只是SN550的進(jìn)階版而已。

接下來(lái)看看金士頓的全盤(pán)讀寫(xiě)曲線(xiàn)，真的很有意思，值得多說(shuō)幾句：

金士頓NV3與西數(shù)SN770類(lèi)似，也是采用了全盤(pán)模擬方案，使用剩余空間的1/3模擬SLC緩存，不過(guò)看到這條寫(xiě)入曲線(xiàn)后，我陷入了深深的矛盾，很難想象一條曲線(xiàn)既有TLC特征，又有點(diǎn)像QLC盤(pán)。

首先，金士頓NV3的SLC緩存占全盤(pán)的1/3左右，正常來(lái)說(shuō)正好是TLC SSD模擬SLC的比例，到這里還沒(méi)啥問(wèn)題。

但是它出緩后的寫(xiě)入速度只有不到300MB/s，我只在Solidigm P41 Plus等QLC SSD中看到過(guò)這個(gè)速度，屬實(shí)有點(diǎn)過(guò)于慢了，比SN770還慢。

而文章開(kāi)頭提過(guò)的，F(xiàn)lashID顯示結(jié)果證明了我手頭這塊NV3確實(shí)是TLC顆粒——那你為啥要把參數(shù)和TBW標(biāo)注得像塊QLC SSD一樣？為啥緩?fù)鈱?xiě)入速度要這么慢？盲猜金士頓NV3的固件其實(shí)是為了QLC顆粒調(diào)校的？再結(jié)合320TBW，只能說(shuō)后續(xù)有大概率要偷摸換成QLC顆粒。

只能說(shuō)阿金你是會(huì)玩整活兒的。

考慮到有的朋友還是有點(diǎn)懵，我們來(lái)對(duì)這款SSD的SLC緩存方案做個(gè)簡(jiǎn)單的解讀吧。

1.以順序?qū)懭胍淮稳P(pán)的耗時(shí)來(lái)對(duì)比，匯總成圖表如下，可以看到致態(tài)TiPlus7100是毫無(wú)疑問(wèn)最快的，耗時(shí)斷崖式領(lǐng)先其他3位選手：

2.致態(tài)TiPlus7100的優(yōu)勢(shì)還在于，SLC緩存耗盡后會(huì)先進(jìn)入TLC直寫(xiě)階段，高達(dá)2500MB/s的寫(xiě)入直寫(xiě)速度同樣能盡量保障寫(xiě)入效率，反觀(guān)其他位選手出緩即斷崖式掉速。

這就說(shuō)明，如果需要單次超大容量的數(shù)據(jù)寫(xiě)入工作，致態(tài)TiPlus7100采用的動(dòng)態(tài)SLC緩存方案更有優(yōu)勢(shì)的，效率更高、用時(shí)更短。

2.SLC緩?fù)?K隨機(jī)讀取性能

SSD的小粒度隨機(jī)存取性能是影響我們?nèi)粘Ｊ褂昧鲿承缘年P(guān)鍵。雖然SSD的真實(shí)運(yùn)行過(guò)程是各種粒度、各種讀寫(xiě)比例混雜的復(fù)雜流程，但是從4K小粒度隨機(jī)讀寫(xiě)的性能中，我們可以管中窺豹。

我們?nèi)粘Ｊ褂秒娔X時(shí)，打開(kāi)軟件或者加載游戲等操作，所訪(fǎng)問(wèn)的基本都是已經(jīng)被挪出SLC Cache外的、在TLC區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)。

在這種情況下，測(cè)試TLC區(qū)域內(nèi)真實(shí)狀態(tài)下的4K隨機(jī)讀取性能就是一件很有意義的事情。

這里為了保證測(cè)試前SSD能夠進(jìn)入臟盤(pán)穩(wěn)態(tài)，先以128KB Q32T4順序?qū)懭胩畋P(pán)兩次后，再對(duì)4款SSD進(jìn)行時(shí)長(zhǎng)為600s的Q1T1 4K隨機(jī)讀取測(cè)試，最終得到了如下所示的SLC緩?fù)?K隨機(jī)讀取速度曲線(xiàn)圖。

將平均速度匯總成柱形圖更方便對(duì)比：

致態(tài)TiPlus7100和新出的NV3并列在第一梯隊(duì)，平均速度都達(dá)到35MB/s左右，基本沒(méi)大差距。

西數(shù)SN770取得了第三名，達(dá)到了32.85MB/s。

反倒是同樣最新發(fā)布的三星990 EVO Plus竟然還不到30MB/s，這是我萬(wàn)萬(wàn)沒(méi)想到的。

3.4K隨機(jī)長(zhǎng)時(shí)間寫(xiě)入測(cè)試

這里簡(jiǎn)單科普下，一個(gè)SSD在正常工作期間會(huì)經(jīng)歷三個(gè)階段，參考SNIA的提法，分別是：

FOB（Fresh Out of the Box）：就是全新的、剛開(kāi)封的盤(pán)。經(jīng)過(guò)安全擦除的SSD也近似于FOB狀態(tài)。這個(gè)時(shí)候的盤(pán)所有的頁(yè)都是空白的，任何寫(xiě)入操作都可以直接進(jìn)行編程，不需要考慮擦除、垃圾回收等操作的影響。消費(fèi)類(lèi)SSD的標(biāo)稱(chēng)性能都是處于這個(gè)狀態(tài)。這個(gè)階段的測(cè)試成績(jī)可以看做是養(yǎng)精蓄銳之后的沖刺，漂亮，但不可持續(xù)。

Transition：過(guò)渡或者轉(zhuǎn)換狀態(tài)。這個(gè)狀態(tài)的性能會(huì)明顯低于全新時(shí)的表現(xiàn)，但是又高于穩(wěn)定態(tài)。不同的SSD在這個(gè)階段的性能表現(xiàn)和持續(xù)時(shí)間差異較大，這與主控、固件、介質(zhì)都有關(guān)系。隨著技術(shù)進(jìn)步，較新式的數(shù)據(jù)中心SSD會(huì)比早期的SSD更容易度過(guò)這個(gè)階段。這個(gè)階段可以看做是跑步期間休息了一會(huì)兒，再次跑起來(lái)的時(shí)候顯得還比較輕松，但也不可持續(xù)。

Steady State：穩(wěn)定態(tài)或穩(wěn)態(tài)。測(cè)試成績(jī)比之前的要低，但波動(dòng)不大了，譬如連續(xù)五次測(cè)試的平均性能變化不超過(guò)20%。這是長(zhǎng)跑的真正狀態(tài)，呼吸節(jié)奏均勻，對(duì)肌肉酸痛已經(jīng)麻木，配速比較穩(wěn)定。隨著時(shí)間持續(xù)，性能可能會(huì)進(jìn)一步下降，但變化比較平緩。

由于SSD在標(biāo)稱(chēng)容量之外，還有一些保留的空間（OP），所以，為了在測(cè)試時(shí)確保所有頁(yè)被寫(xiě)入，設(shè)計(jì)的寫(xiě)入量一定要明顯大于標(biāo)稱(chēng)容量，通常操作就是直接滿(mǎn)盤(pán)寫(xiě)兩遍進(jìn)行預(yù)處理，然后進(jìn)行4K隨機(jī)寫(xiě)入，以觀(guān)察寫(xiě)入速度是否能夠收斂。

該項(xiàng)測(cè)試對(duì)于普通家用用戶(hù)來(lái)說(shuō)其實(shí)不用太在意，畢竟我們平時(shí)使用時(shí)都會(huì)有SLC緩存加速的，不過(guò)對(duì)于極少數(shù)重度生產(chǎn)力用戶(hù)來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)該項(xiàng)測(cè)試來(lái)評(píng)估SSD的主控性能和固件調(diào)校水平。

在上面的測(cè)試環(huán)節(jié)中，我們已經(jīng)對(duì)4款SSD進(jìn)行了長(zhǎng)時(shí)間順序?qū)懭氩僮?，正好完成了填盤(pán)預(yù)處理，所以抱著別浪費(fèi)機(jī)會(huì)的想法，順帶著對(duì)這4款SSD也進(jìn)行了Q1T1 4K隨機(jī)寫(xiě)入60min的項(xiàng)目，記錄寫(xiě)入曲線(xiàn)如下（為方便理解與對(duì)照，這里使用MB/s而不是IOPS作為單位）。

如圖所示，致態(tài)TiPlus7100的寫(xiě)入曲線(xiàn)幾乎沒(méi)有離散，很收斂，不過(guò)遺憾的是穩(wěn)定之后的QD1 4K隨機(jī)寫(xiě)入速度有點(diǎn)慢。

三星990 EVO Plus，總體來(lái)說(shuō)看起來(lái)收斂了，不過(guò)有部分降速到幾乎為0的波動(dòng)極大的情況出現(xiàn)，另外整體的寫(xiě)入速度同樣也不快。

最新評(píng)論