4款熱門無緩固態(tài)硬盤推薦致態(tài)/三星/西部數(shù)據(jù)/金士頓ssd對(duì)比測(cè)評(píng)

發(fā)布時(shí)間：2024-12-24 15:54:37 作者：佚名

致態(tài)TiPlus7100、三星990 EVO Plus、西部數(shù)據(jù)SN770、金士頓NV3四款固態(tài)硬盤怎么選擇呢？下面我們就來看看詳細(xì)的優(yōu)缺點(diǎn)測(cè)評(píng)

我自己近兩年已經(jīng)上手測(cè)試過幾十款SSD了，在選購(gòu)SSD時(shí)還是有一些自己的心得，年初也分享過8000余字的SSD選購(gòu)閉坑掃盲指南。

鑒于有些朋友反映，上一篇選購(gòu)指南中的知識(shí)點(diǎn)有些晦澀，所以本期就為大家?guī)砀雍?jiǎn)明扼要的雙十一SSD選購(gòu)思路吧，另外找來4款最近熱度頗高的PCIe4.0 SSD進(jìn)行了專業(yè)向的深入對(duì)比評(píng)測(cè)，并形成了萬(wàn)余字的詳細(xì)橫評(píng)報(bào)告（字?jǐn)?shù)較多，建議先Mark再慢慢看）。

衷心希望本文能拋磚引玉，能幫助大家了解到底如何才能抽絲剝繭，在市面上琳瑯滿目的SSD產(chǎn)品中慧眼識(shí)真，趁著雙十一大促的機(jī)會(huì)買到自己心儀的SSD產(chǎn)品。

一、SSD簡(jiǎn)要選購(gòu)思路

這部分為了方便大家理解記憶，咱們不啰嗦，盡量用幾句話帶過，理解基礎(chǔ)知識(shí)大體方向就行了。

1.選擇接口

對(duì)于大部分兄弟來說，我們最常接觸到的還是消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤，主要分為2.5寸SATA SSD和M.2 SSD兩種規(guī)格，其中又以M.2 SSD最為常見。

其中M.2接口的SSD也有SATA和NVMe兩種協(xié)議，大家根據(jù)自己現(xiàn)有的電腦接口來購(gòu)買，不要買錯(cuò)，咱們目前新裝機(jī)時(shí)購(gòu)買新硬盤一般基本都是M.2 NVMe規(guī)格的了。

2.選擇PCIe協(xié)議

由于SATA SSD的應(yīng)用場(chǎng)景比較狹窄，所以我們主要考慮NVMe M.2 SSD的問題。

NVMe協(xié)議的M.2 SSD走的是PCIe通道，滿速PCIe3.0 x4的M.2 SSD讀取速度能達(dá)到3500MB/s左右，滿速PCIe4.0 x4的M.2 SSD更是能達(dá)到7000MB/s以上。

同時(shí)NVMe SSD是可以向下兼容的，比如PCIe4.0 SSD完全可以插在PCIe3.0和PCIe2.0的M.2插槽上使用，只不過讀寫速度會(huì)受到接口的帶寬限制而已。

所以個(gè)人建議優(yōu)先選擇PCIe4.0 SSD，假如主板只支持PCIe3.0接口的話，PCIe4.0的硬盤插在3.0接口上雖然速度會(huì)被限制，但是溫度表現(xiàn)也會(huì)比原生PCIe3.0的SSD更好些，更何況以后升級(jí)了平臺(tái)還能繼續(xù)用。

而PCIe5.0 SSD雖然速度快，但是太熱太貴，對(duì)普通用戶來說實(shí)際體驗(yàn)還提升不大，暫時(shí)還不太建議入手。

3.選擇存儲(chǔ)顆粒

目前消費(fèi)級(jí)SSD市場(chǎng)中我們能買到的存儲(chǔ)顆粒主要分為TLC和QLC兩種，建議大家優(yōu)先選擇TLC顆粒的SSD，在壽命和性能方面更有優(yōu)勢(shì)。

其實(shí)QLC的SSD也不是不能用，起碼對(duì)于普通家用用戶來說沒啥能明顯感知的區(qū)別，只不過目前QLC顆粒還處于起步階段，在數(shù)據(jù)密度和性價(jià)比方面優(yōu)勢(shì)不大，所以建議大家再觀望一下，等等技術(shù)進(jìn)步。

NAND顆粒的存儲(chǔ)單元會(huì)在寫入時(shí)按電位表施壓充電，讀取時(shí)按電位表反查數(shù)據(jù)。

TLC、QLC二者的區(qū)別在于，TLC在1個(gè)儲(chǔ)存單位中存放3位數(shù)據(jù)，QLC在1個(gè)儲(chǔ)存單位中存放4位數(shù)據(jù)。

每個(gè)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位數(shù)越多，需要的電位精度就越高，充電就更困難，檢驗(yàn)失敗還需要重新充電，寫入就變得很慢，同時(shí)充電也會(huì)對(duì)浮柵晶體管造成更大損耗；讀取時(shí)也需要更高的精度，因此也會(huì)稍慢。

而這也是QLC的寫入性能和壽命要比TLC差一些的主要原因。

4.選擇DRAM方案

有獨(dú)立DRAM緩存顆粒的SSD我們一般稱之為有緩盤，隨機(jī)讀寫性能更好，多為各家廠商的高端或旗艦產(chǎn)品，典型代表為海力士P44 Pro、三星SN850X、三星990Pro等，缺點(diǎn)是高性能帶來了高發(fā)熱，同時(shí)價(jià)格也是齁貴齁貴的。

反之，沒有DRAM緩存的方案則稱之為無緩盤，例如本文將要測(cè)試的致態(tài)TiPlus7100、三星990 EVO Plus、西部數(shù)據(jù)SN770、金士頓NV3和國(guó)產(chǎn)的佰維NV7400等等。

無緩SSD的真實(shí)隨機(jī)讀寫性能稍弱于有緩SSD，不過優(yōu)點(diǎn)是價(jià)格便宜，同時(shí)發(fā)熱量大大減小，非常適合筆記本、迷你主機(jī)等散熱空間狹小的設(shè)備。

對(duì)于大部分普通用戶來說，個(gè)人其實(shí)更推薦無緩SSD。

5.選擇SSD品牌

就跟咱們買家電喜歡買大廠產(chǎn)品似的，固態(tài)硬盤領(lǐng)域也有大廠與小廠之分。一般來講大廠的品牌背書質(zhì)量更加穩(wěn)健，小廠的產(chǎn)品性價(jià)比更高，咱們還是要對(duì)這塊有個(gè)了解，然后結(jié)合自己預(yù)算和使用需求來綜合權(quán)衡。

目前世界上能自主生產(chǎn)存儲(chǔ)顆粒的廠商很少很少，能用上自家工廠生產(chǎn)的NAND顆粒的品牌才有資格被稱為原廠固態(tài)，具體來說只有致態(tài)（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）、三星、西數(shù)、SK海力士（Solidigm）、東芝（鎧俠）、美光（英睿達(dá)）這幾家而已。

比較推薦大家在預(yù)算充足的時(shí)候優(yōu)先入手原廠SSD，在存儲(chǔ)顆粒可以自產(chǎn)自銷的情況下，物料來源的質(zhì)量和穩(wěn)定性都最好，不用擔(dān)心某些三方廠商一樣偷偷換硬件方案（說的就是你，X士頓）。

同時(shí)，原廠SSD技術(shù)雄厚，可以搭配自產(chǎn)的主控芯片或者自行調(diào)校固件，一般會(huì)有更強(qiáng)的性能表現(xiàn)。

6.選擇PCB布局

這是一個(gè)很小的細(xì)節(jié)，一般不會(huì)有人注意到，不過在有些時(shí)候還真挺重要的。

M.2 SSD可以分為單面布局和雙面布局，建議大家盡量選擇單面布局的SSD。這類產(chǎn)品在背面沒有存儲(chǔ)顆粒之類的元器件，兼容性更強(qiáng)，在迷你主機(jī)或者筆記本電腦中加裝時(shí)不用擔(dān)心因?yàn)檫^厚導(dǎo)致無法安裝的窘境。

另外單面布局的SSD，其發(fā)熱集中于正面，方便我們使用散熱片或者主動(dòng)氣流來進(jìn)行散熱，整體的發(fā)熱表現(xiàn)要更好。

具體來說，在預(yù)算充足的情況下，更推薦大家入手原廠的PCIe4.0無緩SSD，尤其是咱們自家的致態(tài)TiPlus7100。

那么可能有的朋友就要問了，致態(tài)TiPlus7100的實(shí)際表現(xiàn)究竟如何？與國(guó)外大廠的PCIe4.0無緩旗艦SSD相比，處于什么水平呢？

所以本次我斥巨資入手了致態(tài)TiPlus7100、三星990 EVO Plus、西部數(shù)據(jù)SN770和金士頓NV3這4款1TB容量的SSD進(jìn)行橫向評(píng)測(cè)，并形成了接近萬(wàn)字的分析報(bào)告。

是騾子是馬拉出來溜溜，性能孰優(yōu)孰劣，一對(duì)比就立刻就有結(jié)果了。

首先，這里我把參與橫評(píng)的4位選手的主要信息整理成表格，方便大家對(duì)比。

其中每一行橫向?qū)Ρ葧r(shí)，綠色代表更優(yōu)，黃色代表普通，紅色代表參數(shù)弱一些?？梢钥吹街聭B(tài)TiPlus7100和三星990 EVO Plus占優(yōu)的項(xiàng)目明顯更多。

接下來咱們來具體看看這4位選手：

1.致態(tài)TiPlus7100 1TB

TiPlus7100是一款PCIe4.0滿速無緩盤，采用了基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧®Xtacking®技術(shù)架構(gòu)的存儲(chǔ)顆粒，該架構(gòu)即便在世界范圍內(nèi)來說都屬于技術(shù)最先進(jìn)的一檔。

作為長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下唯一零售存儲(chǔ)品牌，致態(tài)給TiPlus7100用上了國(guó)產(chǎn)固態(tài)中體質(zhì)最好的長(zhǎng)存原廠顆粒，是真正的國(guó)產(chǎn)固態(tài)硬盤標(biāo)桿，無論性能、質(zhì)量還是壽命都是同類產(chǎn)品的上優(yōu)之選，很推薦預(yù)算充足的朋友入手。這款SSD也是今天4位選手中我最推薦的。

推薦閱讀：致態(tài)TiPlus7100黑悟空聯(lián)名版測(cè)評(píng)

2.三星990 EVO Plus 1TB

990 EVO Plus是三星剛剛發(fā)布的PCIe4.0無緩旗艦SSD，主控與存儲(chǔ)顆粒都為三星自產(chǎn)，目前價(jià)格不便宜，1TB的售價(jià)接近600元。

目前市面上對(duì)這款SSD的深入測(cè)試比較少，作為存儲(chǔ)領(lǐng)域龍頭企業(yè)之一的新品，我自己還是很有興趣了解一下的，本次順帶測(cè)試一下這款新貴的性能表現(xiàn)。

3.西部數(shù)據(jù)SN770 1TB

在西數(shù)系列的SSD產(chǎn)品線中，SN850X是PCIe4.0有緩旗艦盤，而在無緩盤這邊，目前定位最高的竟然是SN770這款有點(diǎn)舊的PCIe4.0半速盤，讓人有點(diǎn)摸不著頭腦，感覺西數(shù)在產(chǎn)品節(jié)奏方面有點(diǎn)懈怠了。

不過從測(cè)試結(jié)果來看SN770本身還是原廠SSD中比較優(yōu)秀的，畢竟有自產(chǎn)顆粒+自產(chǎn)主控的加持，技術(shù)力還是有的。

4.金士頓NV3 1TB

金士頓雖然是老牌大廠了，但實(shí)際上它家的SSD其實(shí)并非原廠盤范疇，本質(zhì)上來說和佰維、光威等一樣都屬于第三方存儲(chǔ)廠商，甚至阿金都還沒有自己的顆粒封裝產(chǎn)品線咧。

不過由于金士頓的存儲(chǔ)產(chǎn)品在線下渠道商的銷量很高，還是有相當(dāng)一部分消費(fèi)者很認(rèn)可這個(gè)品牌的，以至于經(jīng)常有朋友認(rèn)為這是原廠盤。所以這次還是選了剛上市不久的NV3來參與對(duì)比測(cè)試，同樣為大家展示一下性能。

有一說一，這塊盤其實(shí)很有點(diǎn)奇怪。

看標(biāo)稱性能參數(shù)和320TBW的耐用度，給人的第一印象是，這似乎是一塊QLC SSD。

但是實(shí)際測(cè)試過程中發(fā)現(xiàn)，在大部分項(xiàng)目中NV3就是TLC盤的性能指標(biāo)，但是SLC緩?fù)鈱懭胨俣扔窒馫LC盤，讓人摸不著頭腦。

揭開貼紙瞅了眼，顆粒被重新打上了金士頓自己的標(biāo)，看不出原始制造商，主控是群聯(lián)的PS5027-E27：

所以在完成測(cè)試之后，我回過頭額外用FlashID看了一眼，確認(rèn)我手頭這一塊使用的是東芝的TLC顆粒。

按理說一塊1TB容量的TLC SSD，沒必要只給320TBW的，鑒于金士頓在NV2上各種讓人眼花繚亂的顆粒方案組合，所以不排除這塊盤在后期有更換為QLC顆粒的可能性。

簡(jiǎn)單看過外觀后，咱們首先使用CrystalDiskInfo來看一眼這四款SSD的SMART參數(shù)：

可以看到，致態(tài)TiPlus7100和三星990 EVO Plus采用了NVMe 2.0協(xié)議版本，而西數(shù)SN770和金士頓NV3則采用了舊一些的NVMe 1.4版本。NVMe 2.0協(xié)議相較于NVMe 1.4而言技術(shù)更新，可以減少對(duì)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的重寫，降低硬盤的寫入放大系數(shù)，減少CPU計(jì)算負(fù)荷，提高SSD性能和壽命。

另外4款SSD中，致態(tài)TiPlus7100的可用容量最大，為1024.2GB（10進(jìn)制），其他三款SSD均為1000.2GB。

接下來再來查看一下CrystalDiskInfo沒有列出的更詳細(xì)的SMART信息：

這其中比較值得我們注意的就是SSD的功耗檔位設(shè)置與溫控策略了，我整理成了表格方便對(duì)比：

可以看到，由于這4款SSD均為DRAM-Less無緩盤，所以功耗都不高，致態(tài)TiPlus7100和金士頓NV3的最高功耗也不過只有6.5W而已，實(shí)際使用時(shí)其實(shí)還要低于這個(gè)功率。

而在功耗墻方面，致態(tài)TiPlus7100設(shè)置的比較寬松，警告溫度為90℃，溫度墻為95℃，超過這個(gè)溫度就要觸發(fā)降速了，其他幾塊盤的溫控設(shè)置如表中所示。

不過溫度墻數(shù)值高并不意味著發(fā)熱高，致態(tài)TiPlus7100在實(shí)際使用過程中的發(fā)熱反而是4款SSD中比較低的，這一點(diǎn)會(huì)在下面的溫度表現(xiàn)環(huán)節(jié)進(jìn)行詳細(xì)展示。

由于Windows中2進(jìn)制與10進(jìn)制的換算關(guān)系（在Windows的資源管理器中明明用二進(jìn)制的GiB來計(jì)算容量，可是非要顯示10進(jìn)制為GB），4款SSD上機(jī)后在Windows磁盤管理器中顯示的可用容量都會(huì)減少一些，這是正常情況，并非廠商偷工減料導(dǎo)致。

如下圖所示，致態(tài)TiPlus7100在Windows中的可用容量為953.87GiB（二進(jìn)制），其余三款SSD均為931.5GiB，對(duì)用戶來說致態(tài)相當(dāng)于直接多給了20多GiB的可用容量，還是挺好的。

測(cè)試平臺(tái)

本次測(cè)試使用的測(cè)試平臺(tái)配置如下：

CPU：intel i5-14600KF
主板：AORUS Z790 ELITE X
內(nèi)存：佰維 DX100 DDR5-6800 16GB X2
SSD：Intel 傲騰900P 280G（系統(tǒng)盤）、雷克沙ARES 4TB（對(duì)拷盤）
顯卡：藍(lán)戟Intel A380
系統(tǒng)：Windows11 專業(yè)版 24H2

需要說明的是，SSD的性能除了會(huì)受到CPU主頻和單核性能影響以外，整個(gè)平臺(tái)的PCIe有效載荷Maximum Payload Size（MPS）也會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生影響——正常來講，MPS越大，數(shù)據(jù)包傳輸效率越高，帶寬上限更大。

目前消費(fèi)級(jí)PC平臺(tái)中，只有AMD處理器才能支持512字節(jié)MPS，理論上PCIe4.0x4接口可以提供7.56GB/s的數(shù)據(jù)傳輸速率（7.877GB/s x96%）；Intel平臺(tái)只支持256字節(jié)的MPS，實(shí)踐中PCIe4.0x4接口的理論速率上限就被限制到了7.24GB/s以內(nèi)（7.877GB/s x92%）。

所以在CrystalDiskMark等軟件的測(cè)試過程中，可能會(huì)發(fā)生順序讀寫速度被Intel平臺(tái)所限，無法達(dá)到官方標(biāo)稱性能的情況，還請(qǐng)大家理解，這并不是SSD本身質(zhì)量問題導(dǎo)致。

基礎(chǔ)測(cè)試

1.CrystalDiskMark

作為最常用的硬盤測(cè)試軟件之一，CrystalDiskMark能夠非常直觀的展示SSD在SLC緩內(nèi)的讀寫性能表現(xiàn)，大部分SSD廠商的標(biāo)稱參數(shù)也正是由該軟件測(cè)試而來的。在對(duì)4款SSD進(jìn)行格式化后，使用CrystalDiskMark分別對(duì)其進(jìn)行測(cè)速。

根據(jù)CrystalDiskMark的測(cè)試結(jié)果，在順序讀寫方面，致態(tài)TiPlus7100的讀取速度為7108.75 MB/s，寫入速度為6398.11 MB/s，7讀3寫混合速度為5969.19 MB/s，無論是單純的讀/寫還是混合讀寫性能，均排名第一。其余3款產(chǎn)品按從強(qiáng)到弱的順序排列，分別是三星990 EVO Plus、金士頓NV3和西數(shù)SN770。

而在多隊(duì)列多線程的最高隨機(jī)讀寫速度方面，可以看到致態(tài)TiPlus7100在隨機(jī)讀取方面成績(jī)最好，隨機(jī)寫入性能位居第三名。

Q1T1 4K隨機(jī)讀寫性能方面，除了金士頓NV3以外，其余3款SSD在重要的4K單隊(duì)列隨機(jī)讀取項(xiàng)目中均取得了90 MB/s以上的好成績(jī)。

這里需要提醒大家，像CrystalDiskMark、AS SSD Benchmark和Txbench的基礎(chǔ)測(cè)試這類軟件，對(duì)SSD的測(cè)試結(jié)果是浮于表面的，只有參考價(jià)值，大家一般看看順序讀寫速度即可。

這類軟件測(cè)試原理和測(cè)試項(xiàng)目基本相同，在左側(cè)都會(huì)羅列幾種不同隊(duì)列的測(cè)試項(xiàng)目，在測(cè)試過程中都會(huì)先在SSD的SLC緩存內(nèi)生成一塊固定容量存儲(chǔ)空間用于讀寫測(cè)試，所以一般選擇其一用來測(cè)試即可，并且部分測(cè)試項(xiàng)目會(huì)受到SLC緩存的加速作用影響，并不能完全代表SSD的真實(shí)性能表現(xiàn)。

所以如果你看到一份SSD測(cè)評(píng)中只有幾個(gè)類似軟件的測(cè)試結(jié)果，那大概率是作者在灌水，或者并不懂SSD吧，總之參考意義就不大了。

2.Windows大文件讀寫

Windows的文件資源管理機(jī)制其實(shí)很拉胯，以咱們平時(shí)最常用的復(fù)制——粘貼操作為例，在Win10下單進(jìn)程的實(shí)際讀寫速度通常在3GB/s左右；即使升級(jí)到Win11，單進(jìn)程寫入速度也基本很難超過4GB/s。

在這里我使用FIO生成了一個(gè)100GB的不可壓縮偽隨機(jī)數(shù)據(jù)測(cè)試文件，首先從對(duì)拷盤中向4款SSD中進(jìn)行寫入操作。

最終匯總的寫入曲線如下圖所示，由于有著SLC緩存的加持，4款SSD的寫入曲線都很穩(wěn)，基本都沒啥波動(dòng)。

把大致的寫入速度匯總成柱形圖可以看出來，還是致態(tài)TiPlus7100速度更快一些。

而讀取測(cè)試時(shí)，就要將剛才寫入4款SSD中的100GB測(cè)試文件再?gòu)?fù)制到對(duì)烤盤，最終曲線匯總?cè)缦拢?/p>

可以看到在單文件讀取方面，4款SSD中也都沒啥問題，偶發(fā)的波動(dòng)應(yīng)當(dāng)是對(duì)烤盤端導(dǎo)致。同樣在該項(xiàng)測(cè)試中，也依然是致態(tài)TiPlus7100的速度最快：

另外這里三星990 EVO Plus的讀取速度明顯比其他3款SSD低一些，個(gè)人盲猜是由于這款SSD的WriteBack策略太積極導(dǎo)致，在讀取測(cè)試時(shí)正好遇到了主控將SLC緩存中的數(shù)據(jù)回寫至TLC區(qū)域的過程，耽誤了部分性能。

3.Fastcopy大文件讀寫測(cè)試

由于Windows的復(fù)制粘貼只是利用了SSD的單隊(duì)列讀寫性能，為了觀察在實(shí)際使用時(shí)這幾位選手的極限順序讀寫性能，這里我們使用Fastcopy同樣對(duì)剛才的100GB測(cè)試文件進(jìn)行讀寫操作，并分別對(duì)比消耗的時(shí)間。

使用Fastcopy對(duì)4款SSD進(jìn)行寫入的截圖匯總?cè)缦拢?/p>

讀取截圖也如下圖所示：

將以上數(shù)據(jù)做成圖表可以進(jìn)行更直觀地對(duì)比?？梢钥吹?，在使用Fastcopy寫入時(shí)，4款SSD的耗時(shí)相差不大，誤差不過1秒左右。

倒是讀取100GB文件的耗時(shí)有了較大區(qū)別，其中西數(shù)SN770和致態(tài)TiPlus7100的速度最快，二者耗時(shí)分別為21.2s、21.4s，金士頓NV3的耗時(shí)要比二者長(zhǎng)了3.5s左右，而三星990 EVO Plus的讀取速度最慢，耗時(shí)竟然達(dá)到了31.5s。

應(yīng)用場(chǎng)景模擬測(cè)試

1.PCMARK 10 完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測(cè)試

有很多朋友很關(guān)注將SSD作為系統(tǒng)盤時(shí)的使用表現(xiàn)，但是實(shí)際這個(gè)關(guān)于是否流暢的體驗(yàn)很難用語(yǔ)言描述，畢竟主觀感受真的沒有量化數(shù)據(jù)來得清晰。

尤其像咱們?nèi)粘Ｊ褂肳indows系統(tǒng)時(shí)，由于系統(tǒng)在后臺(tái)運(yùn)行的進(jìn)程往往不受我們控制，很難自行規(guī)劃一個(gè)排除變量的測(cè)試流程。

所以這里我們使用PCMark10的完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測(cè)試功能，來對(duì)SSD實(shí)現(xiàn)量化評(píng)估，而不是像某些KOL一樣，將被測(cè)盤作為Win系統(tǒng)盤時(shí)使用游戲加加對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，并且測(cè)得SSD讀寫延遲低于CPU三緩后，宣稱西數(shù)SN5000S是一款“讀取密集型固態(tài)”——后臺(tái)進(jìn)程你都控制不了，變量都無法排除，還測(cè)個(gè)什么勁兒呢測(cè)？啥時(shí)候消費(fèi)級(jí)SSD也配稱作讀取密集型了？

圖源：@HOMOLAB

PCMark 10的完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測(cè)試包含23項(xiàng)測(cè)試場(chǎng)景，每個(gè)場(chǎng)景都會(huì)運(yùn)行三次，通過對(duì)來自流行應(yīng)用程序和常見任務(wù)的相關(guān)實(shí)際硬盤軌跡跟蹤，可以全面而且反映現(xiàn)在最新存儲(chǔ)設(shè)備的性能。

具體來說，測(cè)試項(xiàng)目包括Windows 10啟動(dòng)、應(yīng)用程序/游戲啟動(dòng)、復(fù)制多個(gè)大文件和許多小文件、Office和Adobe應(yīng)用程序運(yùn)作時(shí)的硬盤軌跡等。

PCMARK 10自帶對(duì)比功能，可以看到，除了西數(shù)SN770得分相對(duì)略低以外，其余3款SSD分別都達(dá)到了4000以上的高分?？梢哉f，4000分基本可以看做一個(gè)分水嶺，超過這個(gè)分?jǐn)?shù)的，都是目前消費(fèi)級(jí)PCIe4.0 SSD中的T0旗艦水平。

而西數(shù)SN770的3650分其實(shí)也不算低了，也是比較優(yōu)秀的成績(jī)，只是和三位大哥同臺(tái)競(jìng)技，才顯得稍微弱了一丟丟而已。

2.LightRoom文件載入時(shí)長(zhǎng)對(duì)比

為了貼合PCMARK 10更傾向于辦公場(chǎng)景的測(cè)試，這里我決定實(shí)戰(zhàn)一波，在這4款SSD上，分別使用Lightroom導(dǎo)入總大小為6.36GB的191張RAW格式照片，并對(duì)導(dǎo)入耗時(shí)進(jìn)行記錄與對(duì)比。

4款SSD的導(dǎo)入耗時(shí)如下圖所示：

這里還是用圖表來展示，4款SSD中，導(dǎo)入最快的是致態(tài)TiPlus7100的18s，其次依次是金士頓NV3的19s和西數(shù)SN770的19.5s緊隨其后，只是沒想到三星990 EVO Plus的成績(jī)要顯著慢了一截。

3.《黑神話:悟空》載入時(shí)長(zhǎng)對(duì)比

接下來還是用實(shí)際游戲的載入速度來稱稱斤兩吧。

這里我通過STEAM安裝了128GB的《黑神話：悟空》，并且選擇其中的基準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目，來橫向?qū)Ρ?款SSD加載進(jìn)入測(cè)試畫面的耗時(shí)。

可以看到，實(shí)際加載《黑神話：悟空》測(cè)試工具時(shí)，速度最快的是致態(tài)TiPlus7100的18.2s，西數(shù)SN770也是基本無差的18.3s，金士頓NV3比二者慢了1s左右，反倒是三星990 EVO Plus加載需要22.8s，耗時(shí)還是長(zhǎng)得挺明顯。

要知道我可是剛安裝完游戲就立馬進(jìn)行測(cè)試的，理論上來講其實(shí)游戲文件應(yīng)當(dāng)還處于SLC緩存范圍內(nèi)才對(duì)，搞不太懂為啥三星990EP的表現(xiàn)明顯不同，或許是黑猴子128GB的文件體積已經(jīng)超出了其SLC緩存容量的緣故？

專業(yè)向測(cè)試

1.全盤讀寫曲線 & SLC緩存方案對(duì)比

為了深入探索4款SSD的SLC緩存方案，這里我們對(duì)其進(jìn)行RAW格式下的全盤范圍順序讀寫測(cè)試（128KB，Q32T1），并以曲線圖的形式為大家展示，各家方案的區(qū)別一眼就能看出來。

仔細(xì)觀察致態(tài)TiPlus7100的全盤寫入曲線，可以看到這是國(guó)產(chǎn)SSD中非常常見的三段式特征，標(biāo)準(zhǔn)的動(dòng)態(tài)SLC緩存方案，特別適合大容量數(shù)據(jù)集中寫入的操作。

空盤狀態(tài)下，致態(tài)TiPlus7100 1TB的SLC緩存在150GB左右，環(huán)內(nèi)寫入速度在5600MB/s左右，調(diào)用了一半剩余空間用于模擬SLC緩存。

出緩后立刻進(jìn)入第二段TLC直寫階段，并且直寫速度達(dá)到了驚人的2500MB/s左右。

當(dāng)TLC區(qū)域用光后，進(jìn)入了第三段WriteBack懲罰階段，此時(shí)SSD要一邊將SLC緩存中的數(shù)據(jù)重新釋放為TLC區(qū)域，一邊還要兼顧新數(shù)據(jù)的寫入，所以性能有所下降。即便如此，在第三段的平均速度也能達(dá)到900MB/s上下，性能非常強(qiáng)勁。

接下來我們?cè)賮砜纯慈?90 EVO Plus的寫入曲線：

三星990 EVO Plus 1TB的SLC緩存給的有點(diǎn)小，空盤情況下只有108GB左右，不過緩內(nèi)寫入速度挺不錯(cuò)，能達(dá)到6200MB/s左右。

雖然不是全盤模擬方案，但是三星還是選擇了把WriteBack懲罰前置，在SLC緩存耗盡后直接進(jìn)入WriteBack懲罰階段，寫入速度大幅度下降至不到1000MB/s，并且波動(dòng)很大，穩(wěn)不下來。

感覺三星的存儲(chǔ)固件部門有些吃老本了，這個(gè)懶惰的回收策略其實(shí)挺讓人摸不著頭腦的。本身990 EVO Plus給的SLC緩存就較小，不利于爆發(fā)式寫入任務(wù)，這下出緩后直接進(jìn)入性能懲罰？緩內(nèi)緩?fù)舛紱]吃到紅利，就讓人有點(diǎn)麻爪。

西數(shù)SN770 1TB的全盤讀寫曲線如下圖所示：

西數(shù)SN770采用的是典型的全盤模擬SLC緩存方案，雖然緩內(nèi)空間很大，在空盤狀態(tài)下達(dá)到了全盤的1/3容量，緩內(nèi)寫入的表現(xiàn)也不錯(cuò)，但是一旦遇到真正的超大量數(shù)據(jù)寫入，SLC Cache耗盡后，寫入速度就會(huì)一落千丈，WriteBack懲罰階段直接跌落至500MB/s左右的速度。

本來以為SN770作為西數(shù)在PCIe4.0時(shí)代的旗艦級(jí)黑盤，會(huì)延續(xù)SN750的輝煌表現(xiàn)，沒想到它只是SN550的進(jìn)階版而已。

接下來看看金士頓的全盤讀寫曲線，真的很有意思，值得多說幾句：

金士頓NV3與西數(shù)SN770類似，也是采用了全盤模擬方案，使用剩余空間的1/3模擬SLC緩存，不過看到這條寫入曲線后，我陷入了深深的矛盾，很難想象一條曲線既有TLC特征，又有點(diǎn)像QLC盤。

首先，金士頓NV3的SLC緩存占全盤的1/3左右，正常來說正好是TLC SSD模擬SLC的比例，到這里還沒啥問題。

但是它出緩后的寫入速度只有不到300MB/s，我只在Solidigm P41 Plus等QLC SSD中看到過這個(gè)速度，屬實(shí)有點(diǎn)過于慢了，比SN770還慢。

而文章開頭提過的，F(xiàn)lashID顯示結(jié)果證明了我手頭這塊NV3確實(shí)是TLC顆粒——那你為啥要把參數(shù)和TBW標(biāo)注得像塊QLC SSD一樣？為啥緩?fù)鈱懭胨俣纫@么慢？盲猜金士頓NV3的固件其實(shí)是為了QLC顆粒調(diào)校的？再結(jié)合320TBW，只能說后續(xù)有大概率要偷摸換成QLC顆粒。

只能說阿金你是會(huì)玩整活兒的。

考慮到有的朋友還是有點(diǎn)懵，我們來對(duì)這款SSD的SLC緩存方案做個(gè)簡(jiǎn)單的解讀吧。

1.以順序?qū)懭胍淮稳P的耗時(shí)來對(duì)比，匯總成圖表如下，可以看到致態(tài)TiPlus7100是毫無疑問最快的，耗時(shí)斷崖式領(lǐng)先其他3位選手：

2.致態(tài)TiPlus7100的優(yōu)勢(shì)還在于，SLC緩存耗盡后會(huì)先進(jìn)入TLC直寫階段，高達(dá)2500MB/s的寫入直寫速度同樣能盡量保障寫入效率，反觀其他位選手出緩即斷崖式掉速。

這就說明，如果需要單次超大容量的數(shù)據(jù)寫入工作，致態(tài)TiPlus7100采用的動(dòng)態(tài)SLC緩存方案更有優(yōu)勢(shì)的，效率更高、用時(shí)更短。

2.SLC緩?fù)?K隨機(jī)讀取性能

SSD的小粒度隨機(jī)存取性能是影響我們?nèi)粘Ｊ褂昧鲿承缘年P(guān)鍵。雖然SSD的真實(shí)運(yùn)行過程是各種粒度、各種讀寫比例混雜的復(fù)雜流程，但是從4K小粒度隨機(jī)讀寫的性能中，我們可以管中窺豹。

我們?nèi)粘Ｊ褂秒娔X時(shí)，打開軟件或者加載游戲等操作，所訪問的基本都是已經(jīng)被挪出SLC Cache外的、在TLC區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)。

在這種情況下，測(cè)試TLC區(qū)域內(nèi)真實(shí)狀態(tài)下的4K隨機(jī)讀取性能就是一件很有意義的事情。

這里為了保證測(cè)試前SSD能夠進(jìn)入臟盤穩(wěn)態(tài)，先以128KB Q32T4順序?qū)懭胩畋P兩次后，再對(duì)4款SSD進(jìn)行時(shí)長(zhǎng)為600s的Q1T1 4K隨機(jī)讀取測(cè)試，最終得到了如下所示的SLC緩?fù)?K隨機(jī)讀取速度曲線圖。

將平均速度匯總成柱形圖更方便對(duì)比：

致態(tài)TiPlus7100和新出的NV3并列在第一梯隊(duì)，平均速度都達(dá)到35MB/s左右，基本沒大差距。

西數(shù)SN770取得了第三名，達(dá)到了32.85MB/s。

反倒是同樣最新發(fā)布的三星990 EVO Plus竟然還不到30MB/s，這是我萬(wàn)萬(wàn)沒想到的。

3.4K隨機(jī)長(zhǎng)時(shí)間寫入測(cè)試

這里簡(jiǎn)單科普下，一個(gè)SSD在正常工作期間會(huì)經(jīng)歷三個(gè)階段，參考SNIA的提法，分別是：

FOB（Fresh Out of the Box）：就是全新的、剛開封的盤。經(jīng)過安全擦除的SSD也近似于FOB狀態(tài)。這個(gè)時(shí)候的盤所有的頁(yè)都是空白的，任何寫入操作都可以直接進(jìn)行編程，不需要考慮擦除、垃圾回收等操作的影響。消費(fèi)類SSD的標(biāo)稱性能都是處于這個(gè)狀態(tài)。這個(gè)階段的測(cè)試成績(jī)可以看做是養(yǎng)精蓄銳之后的沖刺，漂亮，但不可持續(xù)。

Transition：過渡或者轉(zhuǎn)換狀態(tài)。這個(gè)狀態(tài)的性能會(huì)明顯低于全新時(shí)的表現(xiàn)，但是又高于穩(wěn)定態(tài)。不同的SSD在這個(gè)階段的性能表現(xiàn)和持續(xù)時(shí)間差異較大，這與主控、固件、介質(zhì)都有關(guān)系。隨著技術(shù)進(jìn)步，較新式的數(shù)據(jù)中心SSD會(huì)比早期的SSD更容易度過這個(gè)階段。這個(gè)階段可以看做是跑步期間休息了一會(huì)兒，再次跑起來的時(shí)候顯得還比較輕松，但也不可持續(xù)。

Steady State：穩(wěn)定態(tài)或穩(wěn)態(tài)。測(cè)試成績(jī)比之前的要低，但波動(dòng)不大了，譬如連續(xù)五次測(cè)試的平均性能變化不超過20%。這是長(zhǎng)跑的真正狀態(tài)，呼吸節(jié)奏均勻，對(duì)肌肉酸痛已經(jīng)麻木，配速比較穩(wěn)定。隨著時(shí)間持續(xù)，性能可能會(huì)進(jìn)一步下降，但變化比較平緩。

由于SSD在標(biāo)稱容量之外，還有一些保留的空間（OP），所以，為了在測(cè)試時(shí)確保所有頁(yè)被寫入，設(shè)計(jì)的寫入量一定要明顯大于標(biāo)稱容量，通常操作就是直接滿盤寫兩遍進(jìn)行預(yù)處理，然后進(jìn)行4K隨機(jī)寫入，以觀察寫入速度是否能夠收斂。

該項(xiàng)測(cè)試對(duì)于普通家用用戶來說其實(shí)不用太在意，畢竟我們平時(shí)使用時(shí)都會(huì)有SLC緩存加速的，不過對(duì)于極少數(shù)重度生產(chǎn)力用戶來說，可以通過該項(xiàng)測(cè)試來評(píng)估SSD的主控性能和固件調(diào)校水平。

在上面的測(cè)試環(huán)節(jié)中，我們已經(jīng)對(duì)4款SSD進(jìn)行了長(zhǎng)時(shí)間順序?qū)懭氩僮?，正好完成了填盤預(yù)處理，所以抱著別浪費(fèi)機(jī)會(huì)的想法，順帶著對(duì)這4款SSD也進(jìn)行了Q1T1 4K隨機(jī)寫入60min的項(xiàng)目，記錄寫入曲線如下（為方便理解與對(duì)照，這里使用MB/s而不是IOPS作為單位）。

如圖所示，致態(tài)TiPlus7100的寫入曲線幾乎沒有離散，很收斂，不過遺憾的是穩(wěn)定之后的QD1 4K隨機(jī)寫入速度有點(diǎn)慢。

三星990 EVO Plus，總體來說看起來收斂了，不過有部分降速到幾乎為0的波動(dòng)極大的情況出現(xiàn)，另外整體的寫入速度同樣也不快。

西數(shù)SN770的散點(diǎn)圖就不太好看了，肉眼可見的穩(wěn)不住，無論是中段還是后段，波動(dòng)都很大，穩(wěn)不下來。

金士頓NV3的曲線比西數(shù)SN770的離散程度還要離譜，前半段的波動(dòng)極大，后半段速度降下來之后也穩(wěn)不住，無法形成收斂。

簡(jiǎn)單來說，散點(diǎn)圖中點(diǎn)位越集中、越收斂，意味著在極限工況下的QD1 4K隨機(jī)寫入性能越穩(wěn)定，從側(cè)面也可以反映出SSD本身軟硬件結(jié)合下的調(diào)校實(shí)力。

單就穩(wěn)定性而言，4款SSD中表現(xiàn)最好的還是致態(tài)TiPlus7100，其次為三星990 EVO Plus、西數(shù)SN770和金士頓NV3。

溫度表現(xiàn)

再進(jìn)行前面的測(cè)試項(xiàng)目時(shí)，為了排除變量，確保選手們不會(huì)因?yàn)檫^熱降速的緣故導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果出現(xiàn)偏差，我使用了利民的SSD風(fēng)冷散熱器來為SSD進(jìn)行散熱，效果也是極為出色。

不過考慮到大部分朋友使用SSD時(shí)都不會(huì)這么折騰，所以還是很有必要測(cè)試一下4位選手在未加裝散熱器時(shí)，只憑自身散熱的真實(shí)溫度表現(xiàn)。

測(cè)試環(huán)境為使用開放式機(jī)架平臺(tái)上，通過延長(zhǎng)線將SSD放置至機(jī)架外，排除主板上CPU風(fēng)冷散熱器和顯卡風(fēng)扇的主動(dòng)氣流干擾。

實(shí)際上對(duì)于SSD的顆粒和主控來說，只是順序讀取的話，其實(shí)負(fù)載并不算高的。

熟悉SSD的朋友們都知道，在使用CrystalDiskMark進(jìn)行測(cè)試時(shí)，如果SSD發(fā)熱較大，或者我們沒做好散熱措施，就有可能會(huì)遇到SSD過熱降速導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)的情況，這也從側(cè)面說明了，CrystalDiskMark的測(cè)試過程本身就是負(fù)載相當(dāng)高的場(chǎng)景。

更妙的是CrystalDiskMark的測(cè)試項(xiàng)目可以通過固定流程來排除變量，所以這里我們將散熱器拆下，記錄4款SSD在測(cè)試過程中的傳感器回傳溫度，并繪制成圖形和圖表，以方便對(duì)比它們?cè)诟哓?fù)載下的發(fā)熱情況：

簡(jiǎn)單摘錄曲線圖中的數(shù)據(jù)吧，在室溫均為20.5℃的情況下，致態(tài)TiPlus7100和金士頓NV3相對(duì)涼快得多，二者傳感器記錄下來的最高溫度都沒有超過70℃，所以在日常使用時(shí)就算不加裝散熱片，基本也不用怕過熱降速的情況發(fā)生。

而三星和西數(shù)這邊的溫度就著實(shí)有點(diǎn)高了，最高點(diǎn)分別達(dá)到了103℃和100℃，對(duì)于這類發(fā)熱較大的SSD來說，金屬散熱片之類的散熱措施就成為了必需品。

尤其對(duì)于想要在筆記本電腦或者迷你主機(jī)、客廳游戲主機(jī)中加裝SSD的朋友來說，一定一定要注意SSD的發(fā)熱問題，散熱環(huán)境不理想的情況下就不要用這么熱的盤了，用致態(tài)TiPlus7100這類涼爽的國(guó)產(chǎn)SSD，它不香嘛？

總結(jié)

以上就是本次橫向測(cè)評(píng)的全部測(cè)試了，相信大家看到這里也累了，我們就做個(gè)簡(jiǎn)要的總結(jié)吧。

1.經(jīng)過對(duì)比大家就能看到，平時(shí)每次都為大家推薦的致態(tài)TiPlus7100真的是確實(shí)強(qiáng)。

誠(chéng)然致態(tài)TiPlus7100并沒有在所有項(xiàng)目中都取得第一名，但是無論在順序讀寫速還是隨機(jī)讀寫測(cè)試中，它的表現(xiàn)都上佳，就連發(fā)熱表現(xiàn)也很優(yōu)秀，適合從臺(tái)式機(jī)到筆記本電腦再到迷你主機(jī)、游戲主機(jī)等等各類場(chǎng)景中使用。

所以說在文章開頭咱并沒有尬吹哈，致態(tài)TiPlus7100確實(shí)是一塊非常棒的PCIe4.0滿速無緩旗艦SSD，不僅沒有落后于進(jìn)口品牌，反而打的有來有回，稱之為國(guó)產(chǎn)之光并不為過。