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2020年哪款手機(jī)散熱性能好 2020游戲手機(jī)散熱性能排名

迷你手機(jī)網(wǎng)   發(fā)布時(shí)間:2020-08-11 09:05:28   作者:bcf   我要評(píng)論
就在近日,回收寶發(fā)布了最新的手機(jī)游戲發(fā)燙只是,它是通過(guò)同一款游戲在相同的室溫下進(jìn)行的手機(jī)溫度測(cè)試。手機(jī)運(yùn)行《和平精英》極限幀率15分鐘后的機(jī)身最高溫度,并公布排名,一起來(lái)了解一下吧

就在近日,回收寶發(fā)布了最新的手機(jī)游戲發(fā)燙只是,它是通過(guò)同一款游戲在相同的室溫下進(jìn)行的手機(jī)溫度測(cè)試。手機(jī)運(yùn)行《和平精英》極限幀率15分鐘后的機(jī)身最高溫度,并公布排名,最終結(jié)果令人意外,小米10 Pro拿下第一名。接下來(lái)小編為大家?guī)?lái)這六款機(jī)型在手機(jī)散熱方面都做了哪些優(yōu)化,希望能給大家一些購(gòu)機(jī)建議,感興趣的朋友快來(lái)看看吧!

2020游戲手機(jī)散熱性能排名

第一名,小米10 Pro

在手機(jī)的主體構(gòu)造方面采用的雙層導(dǎo)熱石墨、對(duì)稱揚(yáng)聲器及1億像素Pro影像模組等部件,還采用雙層主板設(shè)計(jì),同時(shí)為保證散熱效果小米10 Pro內(nèi)部加入了多處石墨散熱設(shè)計(jì)。整體內(nèi)部設(shè)計(jì)緊湊,1億像素Pro四攝影像模組已占據(jù)較大空間。

雙層主板設(shè)計(jì):好處是優(yōu)化組件布局,節(jié)省空間

主板散熱部分:提供了散熱銅箔、石墨烯以及石墨散熱

石墨烯:具有非常好的熱傳導(dǎo)性能,是為止導(dǎo)熱系數(shù)最高的碳材料

雙層主板堆疊結(jié)構(gòu):在兩塊主板之間加入了石墨烯散熱層,幾乎完全覆蓋兩款主板之間的接觸空間,提升雙層主板間的導(dǎo)熱性能。

超大面積VC均熱板:3000平方毫米超大面積VC均熱板(面積幾乎是其它廠商主流VC的3倍)、四攝底部雙層導(dǎo)熱石墨。

石墨片散熱:還內(nèi)置了6層石墨片作為補(bǔ)充散熱,讓手機(jī)整體的溫度更加均勻。手機(jī)內(nèi)部石墨覆蓋度達(dá)到整機(jī)的70%以上,背面大面積石墨片完整覆蓋了整個(gè)背板,同時(shí)覆蓋上下音腔。

矩陣式溫度傳感器:機(jī)器內(nèi)部分布排列了多個(gè)溫度傳感器,可以感知5G芯片、CPU、相機(jī)、電池、充電接口等不同區(qū)域的溫度情況,對(duì)手機(jī)各區(qū)域溫度實(shí)時(shí)監(jiān)控。

其他方位散熱:在關(guān)鍵發(fā)熱部件周圍,小米10增加了獨(dú)立的石墨散熱覆蓋,例如在攝像頭下方加入專門為相機(jī)散熱的雙層石墨,在閃光燈周圍配備專屬石墨。

第二名,騰訊黑鯊游戲手機(jī)3S

騰訊黑鯊游戲手機(jī)3S依然搭載了 “三明治”立體液冷散熱,通過(guò)正反兩塊液冷管覆蓋關(guān)鍵熱源,達(dá)到”三明治”式的立體液冷散熱,關(guān)鍵熱源的散熱能力提升100%。

同時(shí)首創(chuàng)中軸線的主板設(shè)計(jì),游戲橫握時(shí),手握區(qū)最大距離遠(yuǎn)離主板熱源核心區(qū),游戲激戰(zhàn)時(shí)手機(jī)爆發(fā)強(qiáng)悍性能時(shí)帶來(lái)的熱能不會(huì)影響到玩家的手感。

通過(guò)實(shí)驗(yàn)室測(cè)試,王者榮耀最高畫質(zhì)游戲60分鐘,整機(jī)最高溫度39.4℃,低于競(jìng)品Iphone 11 Pro MAX 3.6℃;手握區(qū)最高溫度37.2℃,低于競(jìng)品Iphone 11 Pro MAX機(jī)型5.8℃

第三名,華為P40 Pro

華為P40系列搭載麒麟990 5G Soc,集成5G基帶,支持 5G 雙模全網(wǎng)通雙卡雙待,以及 Wi-Fi 6/WiFi 6+(2400Mbps,160MHz @5GHz),3D石墨烯散熱膜保證散熱性能。

工信部表示,該技術(shù)以石墨烯為原料,采用多層石墨烯堆疊而成的高定向?qū)崮?,具有機(jī)械性能好、導(dǎo)熱系數(shù)高、質(zhì)量輕、材料薄、柔韌性好等特點(diǎn)。

據(jù)資料,石墨烯是一種新穎的二維材料,由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,厚度只有一個(gè)碳原子那么大,是是世上最薄但也是最堅(jiān)硬的納米材料。

石墨烯制備難度大,但是一種很有前途的高科技材料,它幾乎完全透明,只吸收 2.3% 的光;導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá) 5300 W/m·K,高于碳納米管和金剛石,常溫下其電子遷移率超過(guò) 15000 cm2/V·s,又比納米碳管或硅晶體高,而電阻率只約 10-6 Ω·cm,比銅或銀更低,為目前世上電阻率最小的材料。

第四名,拯救者電競(jìng)手機(jī)Pro

拯救者電競(jìng)手機(jī)Pro采用引擎中置式設(shè)計(jì),依托TSI霜刃散熱系統(tǒng),通過(guò)雙液冷異步分區(qū)冷凝架構(gòu)和14顆矩陣式溫度傳感器,精確監(jiān)控內(nèi)部溫度變化,散熱效率提升37%,手感溫度降低5℃,保證設(shè)備在游戲場(chǎng)景高負(fù)荷狀態(tài)下,手握區(qū)域體感溫度適中處于舒適溫度范圍,帶來(lái)不限頻、無(wú)卡頓的游戲體驗(yàn)的同時(shí),還能擁有更好的握持體驗(yàn)。

考慮到用戶玩游戲時(shí)會(huì)長(zhǎng)時(shí)間接觸到機(jī)身中框,拯救者電競(jìng)手機(jī)Pro還采用懸浮阻熱架構(gòu):在邊框與前殼金屬之間加入導(dǎo)熱差的塑膠件,減緩中框進(jìn)入熱平衡時(shí)間與溫度,對(duì)比傳統(tǒng)前殼與邊框一體式設(shè)計(jì),約有5℃ 改善,以保證設(shè)備在游戲高負(fù)荷狀態(tài)下,手握區(qū)域體感溫度適中處于舒適溫度范圍,帶來(lái)更好的握持體驗(yàn)。

第五名,努比亞紅魔5S游戲手機(jī)

紅魔5S的機(jī)身內(nèi)部,特制的L型熱管與涂布有納米散熱材料的金屬中框構(gòu)成了將熱量從驍龍865上吸收、擴(kuò)散的第一個(gè)環(huán)節(jié)。面積高達(dá)4000平方毫米的內(nèi)置通透風(fēng)道,配合迄今為止全行業(yè)獨(dú)家的15000轉(zhuǎn)內(nèi)置渦輪風(fēng)扇,構(gòu)成了將熱量主動(dòng)從手機(jī)內(nèi)部排出的第二個(gè)環(huán)節(jié)。

而在紅魔5S的AG玻璃后蓋正中心,含有已知最高導(dǎo)熱系數(shù)金屬銀的ICE Ag超導(dǎo)金屬導(dǎo)熱片從內(nèi)到外貫穿整個(gè)后蓋,配合此次新發(fā)布的、具備半導(dǎo)體主動(dòng)制冷片和8000轉(zhuǎn)外掛風(fēng)扇的紅魔冰風(fēng)散熱魔盒,則成為了將外部低溫直接傳導(dǎo)進(jìn)手機(jī)內(nèi)部的第三重散熱設(shè)計(jì)。

這種液冷+內(nèi)置主動(dòng)風(fēng)冷+ICE Ag超導(dǎo)金屬導(dǎo)熱設(shè)計(jì)的三重散熱構(gòu)造,就是此次紅魔5S上的全新ICE 4.0立體散熱體系。它同時(shí)也是整個(gè)手機(jī)行業(yè)有史以來(lái)最復(fù)雜、效果最好的散熱設(shè)計(jì),可能都沒(méi)有之一。

第六名,ROG游戲手機(jī)3

ROG游戲手機(jī)3采用了6.59英寸的AMOLED電競(jìng)屏 ,144Hz刷新率,1ms觸控響應(yīng),提供144Hz、120Hz、90Hz、60Hz之間手動(dòng)或Auto模式進(jìn)行切換。預(yù)設(shè)的Auto模式基于不同場(chǎng)景更有效的平衡顯示流暢度和續(xù)航,支持270Hz頂級(jí)觸控采樣率,全鏈路觸控響應(yīng)快至25ms。

選配的酷冷風(fēng)扇3作為ROG游戲手機(jī)3專屬配件,不需要額外電源,將氣流直吹機(jī)身,引導(dǎo)真空腔散熱板達(dá)到主動(dòng)散熱的效果;同時(shí)新增支架,提供了手機(jī)多場(chǎng)景使用。3.5mm耳機(jī)孔和Typc-C接口,充電和音頻輸出兩不誤。

還選配了ROG炫光智能保護(hù)殼,具備1250個(gè)精準(zhǔn)孔位,酷炫ROG logo光顯矩陣。呼應(yīng)神光同步精確設(shè)定,4種燈光模式,顏色、亮度、 速度三項(xiàng)自定義設(shè)置,定制主題圖標(biāo)同時(shí)還兼容酷冷風(fēng)扇3。

LV3模式可釋放手機(jī) CPU/GPU 性能,追求極致的游戲體驗(yàn),啟動(dòng)期間耗電與溫度顯著增加以確保全速運(yùn)行,但是必須插入酷冷風(fēng)扇3作為散熱輔助才可開(kāi)啟??蛇x擇默認(rèn)優(yōu)化加速,給予足夠的計(jì)算資源同時(shí),減少系統(tǒng)運(yùn)存資源占用對(duì)性能的影響。

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