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三星Galaxy S6依然保持三星在成像方面的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，細(xì)膩解析力強(qiáng)，同時(shí)色彩艷麗。在對(duì)于拍照系統(tǒng)進(jìn)行由繁到簡(jiǎn)的梳理，默認(rèn)去掉用戶(hù)較少用到的功能，轉(zhuǎn)而把拍照模式模塊化，給予用戶(hù)最大的自由度。得益于芯片性能和內(nèi)存能力的提高，加上軟件優(yōu)化，拍照啟動(dòng)速度大大提升，把用戶(hù)拿手機(jī)拍照最注重的速度體驗(yàn)提高了不少，這也體現(xiàn)了三星軟硬件方面的深厚實(shí)力。手機(jī)拍照的世界里面，再也不是iPhone的孤單天下，三星S6已具備超越的能力。

五，性能評(píng)測(cè)

如果要問(wèn)Galaxy S6上最大的亮點(diǎn)是什么，唯一的答案就只能是Exynos 7420這顆處理器。Exynos 7420依然采用的Cortex-A53和Cortex-A57的八核混合架構(gòu)，這到?jīng)]什么稀奇。但關(guān)鍵就在于三星制造Exynos 7420用到了自家乃至業(yè)界最先進(jìn)的14nm FinFET制造工藝。橫向?qū)Ρ纫幌?，蘋(píng)果最新的A8處理器和高通最新的驍龍810都采用的是20nm工藝，而三星的14nm FinFET整整領(lǐng)先它們一個(gè)級(jí)別。

我們都清楚工藝制程的數(shù)值越小，就代表晶體管之間的距離也越小，相對(duì)的能耗就越低，性能也越強(qiáng)。只是晶體管之間的距離小到一定程度之后，就會(huì)發(fā)生“漏電（Leakage）”現(xiàn)象，而FinFET（鰭式場(chǎng)效晶體管）技術(shù)就是專(zhuān)為解決這類(lèi)問(wèn)題而生。這種工藝能夠改善電流控制并減少漏電流（Leakage）現(xiàn)象，從而使得芯片制程工藝數(shù)值得以再次下探。目前市售半導(dǎo)體處理器的最高工藝制程也就只到14nm而已，所以Exynos 7420也可算是工藝最先進(jìn)的處理器之一了。接下來(lái)我們就跑個(gè)分測(cè)試看看。

安兔兔的測(cè)試總成績(jī)是70366分，這個(gè)分?jǐn)?shù)完全超出了我們預(yù)想的范圍，也同樣超出其他安卓機(jī)型一大截。雖然也可能是Antutu本身的問(wèn)題，但也間接說(shuō)明了Exynos 7420的厲害之處。與搭載高通驍龍801的HTC One M8對(duì)比，Exynos 7420除了在單線(xiàn)程浮點(diǎn)與2D繪圖方面小輸之外，其余是全面碾壓。尤其在RAM速度一項(xiàng)上，Galaxy S6是HTC One M8分?jǐn)?shù)的2.3倍，相信這也和Galaxy S6采用了LPDDR4內(nèi)存有關(guān)。

而在跨平臺(tái)跑分軟件GeekBench3上，Galaxy S6也拿到了單核1330分，多核4758分。那iPhone 6跑了多少分呢？結(jié)果是單核1633分，多核2923分。雖然Galaxy S6在單核性能上不及iPhone 6，但也是安卓陣營(yíng)中最高的了。

除了強(qiáng)大的14nm工藝與LPDDR4內(nèi)存之外，三星還給Galaxy S6中引入了UFS嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)，簡(jiǎn)單來(lái)講就是ROM的讀取速度更快?？斓绞裁吹夭侥?？據(jù)官方數(shù)據(jù)顯示UFS嵌入式儲(chǔ)存相比普通的eMMC 5.0要快上2.7倍左右。所以這一次Galaxy S6的硬件說(shuō)是安卓陣營(yíng)最強(qiáng)也是毫不為過(guò)了。

評(píng)測(cè)總結(jié)：

綜上所述，三星Galaxy S6是一部名副其實(shí)的旗艦手機(jī)，它集合了三星目前最高端的軟硬件技術(shù)，將最給力的大招放出來(lái)了。擁有三星自家Exynos八核心處理器，3GB LPDDR4閃存，5.1英寸Super AMOLED節(jié)能2K屏幕，玻璃與金屬相映成輝的設(shè)計(jì)，這些均符合旗艦安卓手機(jī)的定位。依托三星Galaxy S6手機(jī)的影響力，三星正以觸底反彈的態(tài)勢(shì)爭(zhēng)取手機(jī)市場(chǎng)份額的擴(kuò)大化。

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