MWC 2015來襲，一大波新機又陸續(xù)開始面世了，比如說北京時間昨天凌晨，三星新一代旗艦手機Galaxy S6和雙曲面屏幕的Galaxy S6 Edge就正式發(fā)布了。據(jù)悉， 三星這兩款新機除了在外觀上有不小的改變，處理器方面也用上了自家的14nm制程的Exynos 7420。下面就詳情來看看吧，希望會對大家有所幫助的

　　提到Exynos 7420處理器就不能不提一下驍龍810，二者均為64位八核心架構(gòu)，也都是四顆Cortex-A57搭配四顆Cortex-A53。不同的是Exynos 7420采用了14nm制程，GPU為Mali-T760，而驍龍810則是20nm制程，GPU為Adreno 430。

　　此外，二者的主頻也不太一樣，其中驍龍810的主頻為2GHz，集成的基帶芯片支持LTE Cat.9，而Exynos 7420的主頻則是1.5GHz，集成的基帶芯片支持LTE Cat.6。

　　按照二者的規(guī)格來推測的話，Exynos 7420占據(jù)制程優(yōu)勢，且主頻較低，因此發(fā)熱和功耗都應(yīng)該比驍龍810要低一些。當(dāng)然這只是推測，實際要有待進(jìn)一步的驗證。

　　臺灣同行VR-Zone中文版今天拿到了Galaxy S6 Edge測試機，詳細(xì)測試了它的性能，并加入了搭載驍龍810處理器的LG G Flex 2作為對比。需要說明的是，前者內(nèi)存為3GB，后者則是2GB。

　　具體測試項目包括AnTuTu v5.6.1、GeekBench 3.0、3DMark以及PCMark：

　　從安兔兔測試成績來看，Exynos 7420在主頻較低的情況下依然能在CPU性能方面完爆驍龍810，而且領(lǐng)先幅度接近一倍。由此推測驍龍810應(yīng)該是遭遇了嚴(yán)重的降頻問題，否則成績不會這么低。當(dāng)然，也可以把問題歸咎于高通沒優(yōu)化好，但這個可能性非常低。

　　內(nèi)存性能方面，雖然驍龍810僅搭配了2GB內(nèi)存，但運行速度完爆3GB內(nèi)存的Exynos 7420，由此推測驍龍810平臺的內(nèi)存頻率應(yīng)該高于Exynos 7420，或者說高通的內(nèi)存控制器設(shè)計比三星更合理。

　　GPU方面，高通終于扳回一城，不過3D成績是在1080p分辨率下完成測試的，而Exynos 7420搭配的則是2K分辨率，二者的成績其實基本持平...

　　換到3DMark中，在相同分辨率下驍龍810依然取得領(lǐng)先，由此來看Adreno 430應(yīng)該比Mali-T760性能更強一些。只有最后的物理測試驍龍810落后純粹是因為CPU性能不如Exynos 7420。

　　至于GeekBench和PCMark，Exynos 7420基本上都是壓倒性的優(yōu)勢，驍龍810并未討得什么便宜。

　　在PCMark的曲線分析中，我們可以清楚的看到驍龍810的運行時的頻率要比Exynos 7420低不少，難怪性能存在差距。

　　另外，VR-Zone中文版還對Galaxy S6的UFS 2.0閃存性能進(jìn)行了測試，讀寫速度完爆eMMC 5.0。

　　最后說說結(jié)論吧，驍龍810是一款非常不錯的SOC，但前提是擁有非常不錯的被動散熱環(huán)境，或者干脆上小風(fēng)扇吧。

　　至于Exynos 7420，測試中的表現(xiàn)是令人滿意的，盡管GPU相比驍龍810還存在些許差距，但帶動2K屏完全不是問題。至于基帶方面的劣勢，三星想要追平高通是很難的。

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