三星Galaxy S6和S6 Edge性能測試:Exynos 7420表現(xiàn)不錯

MWC 2015來襲,一大波新機又陸續(xù)開始面世了,比如說北京時間昨天凌晨,三星新一代旗艦手機Galaxy S6和雙曲面屏幕的Galaxy S6 Edge就正式發(fā)布了。據(jù)悉, 三星這兩款新機除了在外觀上有不小的改變,處理器方面也用上了自家的14nm制程的Exynos 7420。下面就詳情來看看吧,希望會對大家有所幫助的
提到Exynos 7420處理器就不能不提一下驍龍810,二者均為64位八核心架構,也都是四顆Cortex-A57搭配四顆Cortex-A53。不同的是Exynos 7420采用了14nm制程,GPU為Mali-T760,而驍龍810則是20nm制程,GPU為Adreno 430。
此外,二者的主頻也不太一樣,其中驍龍810的主頻為2GHz,集成的基帶芯片支持LTE Cat.9,而Exynos 7420的主頻則是1.5GHz,集成的基帶芯片支持LTE Cat.6。
按照二者的規(guī)格來推測的話,Exynos 7420占據(jù)制程優(yōu)勢,且主頻較低,因此發(fā)熱和功耗都應該比驍龍810要低一些。當然這只是推測,實際要有待進一步的驗證。
臺灣同行VR-Zone中文版今天拿到了Galaxy S6 Edge測試機,詳細測試了它的性能,并加入了搭載驍龍810處理器的LG G Flex 2作為對比。需要說明的是,前者內(nèi)存為3GB,后者則是2GB。
具體測試項目包括AnTuTu v5.6.1、GeekBench 3.0、3DMark以及PCMark:
從安兔兔測試成績來看,Exynos 7420在主頻較低的情況下依然能在CPU性能方面完爆驍龍810,而且領先幅度接近一倍。由此推測驍龍810應該是遭遇了嚴重的降頻問題,否則成績不會這么低。當然,也可以把問題歸咎于高通沒優(yōu)化好,但這個可能性非常低。
內(nèi)存性能方面,雖然驍龍810僅搭配了2GB內(nèi)存,但運行速度完爆3GB內(nèi)存的Exynos 7420,由此推測驍龍810平臺的內(nèi)存頻率應該高于Exynos 7420,或者說高通的內(nèi)存控制器設計比三星更合理。
GPU方面,高通終于扳回一城,不過3D成績是在1080p分辨率下完成測試的,而Exynos 7420搭配的則是2K分辨率,二者的成績其實基本持平...
換到3DMark中,在相同分辨率下驍龍810依然取得領先,由此來看Adreno 430應該比Mali-T760性能更強一些。只有最后的物理測試驍龍810落后純粹是因為CPU性能不如Exynos 7420。
至于GeekBench和PCMark,Exynos 7420基本上都是壓倒性的優(yōu)勢,驍龍810并未討得什么便宜。
在PCMark的曲線分析中,我們可以清楚的看到驍龍810的運行時的頻率要比Exynos 7420低不少,難怪性能存在差距。
另外,VR-Zone中文版還對Galaxy S6的UFS 2.0閃存性能進行了測試,讀寫速度完爆eMMC 5.0。
最后說說結論吧,驍龍810是一款非常不錯的SOC,但前提是擁有非常不錯的被動散熱環(huán)境,或者干脆上小風扇吧。
至于Exynos 7420,測試中的表現(xiàn)是令人滿意的,盡管GPU相比驍龍810還存在些許差距,但帶動2K屏完全不是問題。至于基帶方面的劣勢,三星想要追平高通是很難的。
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