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三星NAND閃存投資擴(kuò)大 2019年支出將達(dá)90億美元

  發(fā)布時間:2018-07-15 15:12:37   作者:佚名   我要評論
據(jù)臺灣媒體《電子時報》援引自韓國的消息,三星電子將在2019年進(jìn)一步擴(kuò)大NAND閃存投資,由今年的64億美元增至90億美元,下面一起看看吧

據(jù)臺灣媒體《電子時報》援引自韓國的消息,三星電子將在2019年進(jìn)一步擴(kuò)大NAND閃存投資,由今年的64億美元增至90億美元。

消息稱,三星此次投資將專注于擴(kuò)大韓國平澤、中國西安工廠的高容量3D NAND生產(chǎn)規(guī)模,以期與競爭對手拉開差距。業(yè)界認(rèn)為,三星的巨額投資計劃是在捍衛(wèi)其在市場中的主導(dǎo)地位。報道稱,此次的投資數(shù)額確實顯著高于同行競爭對手的水平。

報告指出,隨著三星電子宣布第五代V-NAND閃存芯片,這家廠商技術(shù)將至少比競爭對手領(lǐng)先兩年。

報道還表示,如今三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、閃迪和長江存儲均計劃未來幾年大幅提升3D NAND閃存產(chǎn)量。IC Insights認(rèn)為,3D NAND閃存市場供過于求的風(fēng)險正在逐漸提升。IC Insight還表示,NAND閃存價格在今年初逐漸疲軟已不讓人意外,今年下半年至2019年,這一趨勢還有可能繼續(xù)加速。

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