GDDR6顯存什么時候發(fā)布?GDDR6顯存發(fā)布時間

業(yè)界最早討論GDDR6顯存可以追溯到2012年,當(dāng)時的說法是2014年就將啟動標(biāo)準(zhǔn)制定,但GDDR5之后A/N兩家先后用上了HBM和GDDR5X,也不見GDDR6的蹤影。
據(jù)外媒報道,繼三星之后,美光也談及了自己未來的存儲規(guī)劃,其中就涉及GDDR6顯存。
美光計劃今年底將GDDR5的制程工藝從20nm推進到1Xnm,預(yù)計是16nm。同時,他們表示G5X顯存的需求將迎來增長,考慮到市面僅GTX 1080/TITAN X/Tesla P40在用,不知道是否是暗示1080 Ti以及RX 500顯卡將會采用。
至于GDDR6,定于今年底或者明年初正式發(fā)布。
規(guī)格方面美光沒有更多資料分享,但此前三星簡單介紹過,GDDR6顯存的單根引腳帶寬最高可達16Gbps,是GDDR5的2倍,也高于G5X理論峰值12Gbps。
工作電壓1.35V,和G5X一致,比G5低。
我們以一張256bit的顯卡來看,總帶寬最高可達512GB/s,完全媲美HBM一代顯存了,甚至看齊AMD的縮水二代。
我們知道,美光走的是和HBM陣營完全不同的HMC,只是進度不佳,但靠著GDDR容量、價格上的優(yōu)勢和改良款式,仍在中高端盡力搏殺。
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