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三星128GB單條 DDR4內(nèi)存開始量產(chǎn) 竟然是3D的

  發(fā)布時(shí)間:2015-11-26 17:18:21   作者:佚名   我要評論
128g單條DDR4內(nèi)存出現(xiàn)啦,三星宣布量產(chǎn)全球第一款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條,最不可思議的是,這款內(nèi)存條竟然是3d技術(shù)打造的,更多詳細(xì)內(nèi)容請看下文

2014年8月底,三星電子宣布量產(chǎn)全球第一款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條,單條容量高達(dá)64GB。一年多后,三星將這一容量翻了一番,開始量產(chǎn)128GB TSV DDR4內(nèi)存條。

新內(nèi)存依然是面向企業(yè)級(jí)服務(wù)器市場的RDIMM類型條子,使用了多達(dá)144顆DDR4內(nèi)芯片,每一顆容量8Gb(1GB),然后每四顆芯片利用TSV技術(shù)緊密封裝在一起,總計(jì)36個(gè)組,分布在內(nèi)存條兩側(cè)。

制造工藝是三星最先進(jìn)的20nm,起步頻率2400MHz,接下來將逐步提升到2667MHz、3200MHz。

另外,三星還會(huì)把TSV硅穿孔技術(shù)應(yīng)用到HBM高帶寬內(nèi)存中。

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