金百達(dá)刃DDR5 24Gx4超頻測(cè)試:含XMP自動(dòng)超頻+手動(dòng)超頻

- High Bandwidth修改為啟用
- Low Latency修改為啟用
這里放一下測(cè)試圖,TM5的1us腳本過(guò)測(cè),使用6800MHz+C34的XMP預(yù)設(shè),測(cè)試數(shù)據(jù)如下圖所示:
- 讀取速度為100.29GB/s
- 寫(xiě)入速度為101.24GB/s
- 拷貝速度為100.43GB/s
- 延遲為65.8ns
看過(guò)上一篇兩根超頻的朋友應(yīng)該發(fā)現(xiàn)了問(wèn)題,按頻率比例來(lái)說(shuō),這四根內(nèi)存的讀寫(xiě)速度比兩根要低一些,這是正常的。
這里放一下和內(nèi)存性能直接掛鉤的解壓縮測(cè)試做量化對(duì)比,使用7-Zip自帶的Benchmark,測(cè)試數(shù)據(jù)如下圖所示:
- 10輪測(cè)試的最終分?jǐn)?shù)為220.280GIPS
手動(dòng)超頻測(cè)試
超頻流程就不重復(fù)介紹了,四根插滿的超頻上限要比兩根低很多,和大家說(shuō)一下四擋硬件的基本盤(pán):
- 較差體質(zhì)CPU+不管啥主板,能穩(wěn)定6000MHz+C32就算成功。
- 一般體質(zhì)CPU+二線主板的四槽Z系列主板,6400MHz+C32基本都沒(méi)問(wèn)題。
- 一般體質(zhì)CPU+一線主板的四槽Z系列主板,6800MHz+C34基本都沒(méi)問(wèn)題。
- 大雕體質(zhì)CPU+一線主板的四槽Z系列主板,可以嘗試摸7600MHz+C36甚至更高。
本次演示環(huán)境屬于第三檔,最后手動(dòng)超頻也是成功超到7200MHz+C34過(guò)測(cè),如果你的板U連6800MHz的XMP預(yù)設(shè)都過(guò)不去,就得手動(dòng)修改電壓進(jìn)行微調(diào)。
說(shuō)完基本盤(pán)就是電壓,本次四根7200MHz穩(wěn)定過(guò)測(cè)的各項(xiàng)電壓參數(shù)和兩根8000MHz差不多,僅需要微微降低VDD2和內(nèi)存電壓,這個(gè)結(jié)論沒(méi)大量案例支持不一定準(zhǔn),僅供大家參考。
下面分享下我的超頻配置,請(qǐng)大家注意區(qū)分可以抄和不能超的地方,都會(huì)有說(shuō)明的第一步,進(jìn)入BIOS的“頻率/電壓控制”:
- 停用下圖圈出來(lái)的所有選項(xiàng)
- 頻率修改為你的目標(biāo)
以上直接照抄,初次超頻千萬(wàn)不要給太高頻率,一點(diǎn)一點(diǎn)加。
第二步,進(jìn)入上圖的“高級(jí)內(nèi)存設(shè)定”配置頁(yè)面,修改下圖圈出來(lái)的三項(xiàng):
- 內(nèi)存參考頻率修改為100
- Gear模式修改為Gear2
- SA GV修改為停用
以上直接照抄。
第三步,進(jìn)入上圖的“內(nèi)存通道時(shí)序”配置頁(yè)面,修改下圖圈出來(lái)的四項(xiàng):
- tCL修改為34
- tRCD修改為48
- tRP修改為48
- tRAS修改為78
這組時(shí)序非常寬松,7200MHz及以內(nèi)的頻率直接照抄。
第四步,回到“頻率/電壓控制”首頁(yè),一定要看說(shuō)明,修改下圖圈出來(lái)的三項(xiàng):
- CPU代理電壓修改為1.30V,如果TM5報(bào)對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤,單次調(diào)整電壓±0.01V。
- VDDQ CPU電壓修改為1.32V,如果TM5報(bào)對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤,單次調(diào)整電壓±0.005V。
- VDD2 CPU電壓修改為1.42V,如果TM5報(bào)對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤,單次調(diào)整電壓±0.01V。
VDDQ和VDD2電壓我這里給的很低,部分CPU的甜點(diǎn)電壓比較高,單次加壓一定要少,千萬(wàn)別一下子直接加很高,很容易錯(cuò)過(guò)甜點(diǎn)電壓。
第五步,上一步頁(yè)面進(jìn)入“內(nèi)存電壓控制”頁(yè)面,修改下圖圈出來(lái)的三項(xiàng):
- VDD電壓修改為1.42V,如果TM5報(bào)對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤,單次調(diào)整電壓±0.005V。
- VDDQ電壓修改為1.42V,如果TM5報(bào)對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤,單次調(diào)整電壓±0.005V。
- VPP電壓修改為1.9V,改完就不用動(dòng)了。
和CPU電壓一樣,單次加壓一定要少,全部配置完成后點(diǎn)“儲(chǔ)存并離開(kāi)”,保存配置并重啟電腦,按照上面的流程圖循環(huán)加頻率測(cè)試,啟動(dòng)可能比較慢,千萬(wàn)不要急。
放一下測(cè)試圖,TM5的1us腳本過(guò)測(cè),使用6800MHz+C34的XMP預(yù)設(shè),開(kāi)啟大帶寬+低延遲模式,測(cè)試數(shù)據(jù)如下圖所示:
- 讀取速度為106.30GB/s,對(duì)比XMP預(yù)設(shè)提升5.99%。
- 寫(xiě)入速度為107.08GB/s,對(duì)比XMP預(yù)設(shè)提升5.77%。
- 拷貝速度為106.47GB/s,對(duì)比XMP預(yù)設(shè)提升6.01%。
- 延遲為62.0ns,對(duì)比XMP預(yù)設(shè)優(yōu)化6.13%。
其次是7-Zip自帶的Benchmark,測(cè)試數(shù)據(jù)如下圖所示:
- 10輪測(cè)試的最終分?jǐn)?shù)為224.323GIPS,對(duì)比XMP預(yù)設(shè)提升1.84%。
雖然看著提升不大,實(shí)際上用得到大容量?jī)?nèi)存的場(chǎng)景一般都是多任務(wù),如果多進(jìn)程并發(fā)運(yùn)行且每個(gè)都能有1%的提升,那么累加起來(lái)就不少了。
最后對(duì)比四根插滿與僅上兩根的數(shù)據(jù),兩根7200MHz+C36+大帶寬低延遲模式的測(cè)試數(shù)據(jù)如下圖所示:
- 兩根7200MHz的讀取速度為111.49GB/s,對(duì)比四根7200MHz高出4.88%。
- 兩根7200MHz的寫(xiě)入速度為110.46GB/s,對(duì)比四根7200MHz高出3.16%。
- 兩根7200MHz的拷貝速度為105.97GB/s,對(duì)比四根7200MHz低了0.47%。
- 兩根7200MHz的延遲為63.8ns,對(duì)比四根7200MHz高出2.90%。
通過(guò)數(shù)據(jù)對(duì)比可以得出結(jié)論,在同頻率前提下,即使兩根組的時(shí)序更高,四根的讀寫(xiě)能力綜合來(lái)看也是略差,我個(gè)人認(rèn)為可以接受,畢竟DDR4也這樣。
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