夜晚RGB燈效與亮度

性能測試：

這次搭配的測試平臺來自英特爾第14代14900K CPU+ Z790二代主板平臺，這套配置可以充分發(fā)揮佰維WOOKONG DX100 RGB 內(nèi)存條的性能潛力，那么讓我們來看看這款內(nèi)存條的實(shí)際性能表現(xiàn)吧！

就超頻潛力而言，內(nèi)存條最重要的內(nèi)存顆粒。如果是追求極致性價比，那么我建議選擇海力士Adie顆粒的產(chǎn)品，比如佰維這款WOOKONG DX100 DDR5 RGB內(nèi)存條，就采用了海力士Adie顆粒，其顆粒最新的迭代版本為4.1。

在未開啟XMP的情況下，佰維內(nèi)存條在5600MHz起始頻率下的內(nèi)存測試中，讀取、寫入和復(fù)制帶寬分別是87497MB/s、77467MB/s、78685MB/s，內(nèi)存的延遲則為83.0ns。

我們先從最基礎(chǔ)的XMP（自動超頻）開始，稍后再進(jìn)行手動超頻。此處可用于我們內(nèi)存的XMP配置文件是6800MHz，具有34-45-45-108 DRAM時序和1.4V電壓。AIDA64內(nèi)存帶寬測試，讀取可達(dá)100.82GB/s，寫入為89752MB/s，復(fù)制為93878MB/s，內(nèi)存延遲為70.2ns。

通常而言，內(nèi)存廠商的XMP配置文件都是經(jīng)過了嚴(yán)苛的測試，是個相對來說較為穩(wěn)定的方案。而在對比開啟XMP前后的性能表現(xiàn)，大約有15%的性能提升。這對于不想折騰的新手玩家來說，在開啟XMP后，就可輕松體驗(yàn)到DDR5 6800Mhz頻率下帶來的高性能體驗(yàn)。

如果想更超一步，那么接下來則需要耐心調(diào)整時序、電壓、小參了，這是一個漫長的過程，需要耐心調(diào)整，就比如電壓給大或給小，都不一定能穩(wěn)定運(yùn)行，或無法開機(jī)。這里我建議將SA電壓設(shè)置為1.28V-1.3V，內(nèi)存Gear模式設(shè)置為1/2，停止內(nèi)存快速開機(jī)。VDDQ CPU電壓設(shè)置在1.38V到1.42V之間，VDD2 CPU電壓大概在1.42V-1.46V左右。內(nèi)存電壓VDD A0設(shè)置為1.55V-1.6V、VDDQ A0設(shè)置為1.55V-1.6V之間和VPP A0設(shè)置為1.9V。

在找到預(yù)期的最高且相對穩(wěn)定的頻率后再調(diào)整內(nèi)存的小參，那么這里我小超一下，測試8000MHz頻率下是否能穩(wěn)定，時序可設(shè)置為34-52-52-58。

經(jīng)過調(diào)整測試后，8000MHz頻率下能順利開機(jī)，能通過AIDA64的內(nèi)存測試，并且它的讀寫速度提升非常明顯，分別達(dá)到了124.41GB/s、121.50GB/s，延遲也降至57.4ns。但是，在AIDA64內(nèi)存跑分測試后，無法通過TM5內(nèi)存壓力測試。最終在不斷優(yōu)化VDDQ CPU電壓、VDDQ 內(nèi)存電壓后，8000Mhz頻率+CL34時序下TM5順利通過1us測試。

對比超頻前后，內(nèi)存帶寬大幅提升至122GB/s，讀取/寫入/復(fù)制性能（對比XMP）提升約有25-30%左右，延遲也大幅降至55ns。

對于大多數(shù)游戲和軟件來說，8000MHz的內(nèi)存頻率確實(shí)是非常高的了。然而在大多數(shù)情況下，較低的內(nèi)存頻率也不會對游戲性能產(chǎn)生太大的影響，因?yàn)橛螒虻男阅苤饕Q于CPU、顯卡、固態(tài)硬盤等多個因素的綜合表現(xiàn)。

當(dāng)然，對于一些特別需要高內(nèi)存頻率的大型游戲或者需要處理大量數(shù)據(jù)的軟件來說，更高的內(nèi)存頻率確實(shí)也會有更好的表現(xiàn)。但是，對于絕大多數(shù)玩家來說，8000MHz的內(nèi)存頻率已經(jīng)足夠滿足他們的使用需求了！值得一提的是，8000MHz頻率并不是我這套配置的終點(diǎn)，已經(jīng)購入此內(nèi)存套條的玩家也可以接著嘗試超頻。

總結(jié)：

佰維WOOKONG DX100 DDR5月光寶盒 6800MHz RGB內(nèi)存條是一款非常出色的內(nèi)存條，它的外觀設(shè)計精美、綺麗多姿的RGB幻彩燈效、散熱性能出色、性能表現(xiàn)優(yōu)異。如果您正在尋找一款高性能的DDR5內(nèi)存條，并且注重外觀和散熱性能，那么佰維WOOKONG DX100確實(shí)是一個非常不錯的選擇！

最新評論