光威天策DDR4內(nèi)存怎么樣？性能如何？值得入手嗎？下面小編帶來(lái)光威天策DDR4內(nèi)存詳細(xì)評(píng)測(cè)，希望對(duì)大家有所幫助。
 

光威天策DDR4內(nèi)存詳細(xì)評(píng)測(cè)：

一、前言：從悍將到天策，光威內(nèi)存性?xún)r(jià)比再升級(jí)

說(shuō)到光威，相信很難有人將之與金士頓、威剛等大廠并列。作為國(guó)內(nèi)電腦存儲(chǔ)產(chǎn)品消費(fèi)市場(chǎng)上的國(guó)民品牌，自誕生至今，光威的存儲(chǔ)產(chǎn)品一直都是超高性?xún)r(jià)比的存在，在銷(xiāo)量上也是逐年穩(wěn)步提升。

根據(jù)京東平臺(tái)最新統(tǒng)計(jì)的內(nèi)存銷(xiāo)量數(shù)據(jù)，光威悍將系列內(nèi)存在3月份內(nèi)存單品銷(xiāo)量榜上排名第三，僅次于金士頓（前2名都是金士頓），超越了美光、威剛、三星、海盜船等大廠。

近日，光威推出了天策系列內(nèi)存。天策系列內(nèi)存是悍將的繼承者，性?xún)r(jià)比甚至超過(guò)悍將系列，有望在銷(xiāo)量上取得比悍將更加亮眼的成績(jī)。

天策DDR4 16GB套條內(nèi)存目前只有3000MHz一種頻率，采用單面設(shè)計(jì)單條容量8GB，電壓1.35V，時(shí)序?yàn)?6-18-18-38，時(shí)序方面與三星B-Die有一些差距，但也達(dá)到了主流內(nèi)存的水準(zhǔn)。

從悍將（將軍）到天策（首領(lǐng)），光威內(nèi)存逐漸開(kāi)始嶄露頭角。

光威悍將主打的是性?xún)r(jià)比。而作為悍將的繼承者，天策在強(qiáng)調(diào)高性?xún)r(jià)比的同時(shí)，在品質(zhì)、性能、外觀設(shè)計(jì)上更有所升級(jí)。

光威“天策”內(nèi)存外表覆蓋了一層銀灰色的鋁制金屬散熱馬甲，鋁片的厚度魚(yú)尾1mm。

另外一面有2張貼紙，可以看到內(nèi)存的技術(shù)參數(shù)，頻率3000MHz、時(shí)序CL 16-18-18-38，電壓1.35V。

目前市面上的主流DDR4 3000MHz內(nèi)存差不多都是類(lèi)似的參數(shù)。

沒(méi)有RGB的好處是可以省下很多空間，“天策”內(nèi)存馬甲僅比內(nèi)存條高出3mm左右，可以兼容市面上絕大多數(shù)風(fēng)冷散熱器。

“天策”內(nèi)存采用8層PCB板設(shè)計(jì)，通過(guò)圖片可以看到威剛在設(shè)計(jì)時(shí)縮短了DRAMIC與金手指的距離，讓讀寫(xiě)信號(hào)傳輸更快、更平均，有利于提升超頻能力。

CXMT，來(lái)自于合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的純國(guó)產(chǎn)原廠顆粒。

二、性能測(cè)試：超頻到3466MHz很輕松

測(cè)試平臺(tái)如下：

1、超頻測(cè)試

首先是對(duì)光威天策DDR4 3000內(nèi)存8GBx4內(nèi)存進(jìn)行超頻，看看它的超頻潛力如何。

我們使用的是微星MEG Z590IUNIFY暗影板主板，最終在1.40V的電壓下，將天策DDR4 3000內(nèi)存超頻到了3400MHz，時(shí)序稍稍提升到了17-20-20-38。

使用MemtestPro 4.3測(cè)試超頻后的穩(wěn)定性， 運(yùn)行了1小時(shí)零報(bào)錯(cuò)，證明了超頻后的穩(wěn)定性并沒(méi)有問(wèn)題。

2、天策內(nèi)存AIDA64 內(nèi)存緩存測(cè)試

這是直接開(kāi)機(jī)XMP模式后的測(cè)試數(shù)據(jù)，內(nèi)存的讀取、寫(xiě)入和復(fù)制帶寬分別為43991MB/s、42002MB/S、39439MB/s，而內(nèi)存的延遲則為53.6ns。

在其他所有參數(shù)不變的情況下，直接將內(nèi)存頻率提升到3333MHz，也能穩(wěn)定運(yùn)行，此時(shí)時(shí)序依然是16-18-18-38.。

實(shí)測(cè)內(nèi)存的內(nèi)存讀取、寫(xiě)入與復(fù)制帶寬分別達(dá)到了48751MB/s、47359MB/s、43588MB/s，延遲僅僅只有50.2ns。

繼續(xù)往上超的話需要?jiǎng)右恍﹨?shù)，我們?cè)?.4V的電壓下將天策DDR4 3000MHz內(nèi)存超頻到了3466MHz，時(shí)序也拉到了17-19-19-38 CR2。

此時(shí)內(nèi)存讀取、寫(xiě)入與復(fù)制帶寬分別達(dá)到了50019MB/s、50985MB/s、45278MB/s，延遲呀降到了49.4ns。

3、XPG龍耀D50 3600MHz內(nèi)存測(cè)試

XPG龍耀D50 3600MHz內(nèi)存采用的是海力士特挑CJR顆粒，之所以加入他的測(cè)試，是為了看看國(guó)產(chǎn)顆粒與國(guó)外大廠顆粒之間的性能差異。

將XPG龍耀D50內(nèi)存設(shè)置為3000MHz 16-18-18-36，其內(nèi)存讀取、寫(xiě)入與復(fù)制帶寬分別為44577MB/s、43621MB/s、40231MB/s，內(nèi)存延遲為52.3ns。

XPG龍耀D50 3600內(nèi)存在3466MHz 17-19-19-38的頻率時(shí)序下測(cè)得的內(nèi)存讀取、寫(xiě)入、復(fù)制帶寬分別為49892MB/s、50347MB/s、45166MB/s，延遲為51.5ns。

對(duì)比測(cè)試數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)在3000MHz頻率下，天策內(nèi)存的性能要稍稍弱于XPG龍耀D50，不過(guò)在3466MHz頻率下，天策內(nèi)存總體表現(xiàn)要好一些，特別是延遲時(shí)間少了將近2ns。

三、總結(jié)：有什么理由不選擇國(guó)產(chǎn)內(nèi)存呢！

光威天策內(nèi)存的表現(xiàn)可圈可點(diǎn)，相同頻率下即便是與采用海力士CJR顆粒的國(guó)際大廠內(nèi)存相比也不遜色。

而在3466MHz頻率下，天策內(nèi)存的測(cè)試數(shù)據(jù)甚至超越了同樣頻率的XPG龍耀D50內(nèi)存，內(nèi)存延遲的表現(xiàn)更為亮眼，49.4ns的延遲時(shí)間比后者少了2ns。更低的延遲可以有效的提升游戲的幀率。

在超頻方面，我們小測(cè)了一下超頻性能，可以在1.4V的電壓下超頻到3466MHz，時(shí)序只是稍微提升到17-19-19-38。在這個(gè)頻率下，內(nèi)存的各項(xiàng)測(cè)試數(shù)據(jù)都有較大幅度的提升，并且可以通過(guò)MEMTEST 1小時(shí)的穩(wěn)定性測(cè)試0報(bào)錯(cuò)。

光威天策DDR4 3000 16GB套裝價(jià)格是479元，同樣規(guī)格的海盜的內(nèi)存售價(jià)是679元、金士頓則要739元、威剛也賣(mài)589元。

光威天策內(nèi)存提供終身保固的售后服務(wù)！如果內(nèi)存運(yùn)行穩(wěn)定、性能不輸國(guó)際大廠、價(jià)格又便宜很多、售后也能得到保證的情況下，為什么不買(mǎi)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存而非要選擇國(guó)外的產(chǎn)品呢！

本文轉(zhuǎn)載自https://news.mydrivers.com/1/753/753159.htm

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