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首個(gè)DDR4-2666 RDIMM內(nèi)存問(wèn)世:可充分發(fā)揮Intel Purley平臺(tái)性能

  發(fā)布時(shí)間:2016-11-14 16:01:57   作者:佚名   我要評(píng)論
InnoDisk嵌入式DRAM業(yè)務(wù)副總裁Samson Chang表示,此次推出的DDR4-2666服務(wù)器內(nèi)存是世界上首個(gè)RDIMM內(nèi)存產(chǎn)品,其擁有2666MT/s的默認(rèn)速度,可以充分發(fā)揮Intel Purley平臺(tái)的性能

一直致力于工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)的InnoDisk今天正式宣布推出DDR4-2666服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品,主要適配即將于2017年發(fā)布的Intel Purley平臺(tái)。

InnoDisk嵌入式DRAM業(yè)務(wù)副總裁Samson Chang表示,此次推出的DDR4-2666服務(wù)器內(nèi)存是世界上首個(gè)RDIMM內(nèi)存產(chǎn)品,其擁有2666MT/s的默認(rèn)速度,可以充分發(fā)揮Intel Purley平臺(tái)的性能。

InnoDisk DDR4-2666 RDIMM服務(wù)器內(nèi)存工作電壓為1.2V,符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn),目前擁有8GB、16GB、21GB三種容量版本,預(yù)計(jì)2017年第一季度將推出更大容量的型號(hào)。

首個(gè)DDR4-2666 RDIMM內(nèi)存問(wèn)世:瞄準(zhǔn)Intel下一代平臺(tái)

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