DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存的區(qū)別介紹
我要評論DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存有以下5方面不同：
一、頻率和電壓
在頻率方面，DDR4內(nèi)存的工作頻率將從2133MHz 起跳，最高甚至可以達(dá)到4266MHz。這個頻率相比DDR3 內(nèi)存有相當(dāng)大的提升。
在電壓方面，DDR3 內(nèi)存的工作電壓為1.5V，而DDR4內(nèi)存的工作電壓將近一步的降低，預(yù)計最低可以做到1.2V。
二、傳輸機(jī)制
相對于DDR3，DDR4的一大改進(jìn)就體現(xiàn)在信號傳輸機(jī)制上。它擁有兩種規(guī)格:除了可支持Single-endedSignaling信號( 傳統(tǒng)SE信號)外，還引入了DifferentialSignaling( 差分信號技術(shù) )技術(shù)。
三、訪問機(jī)制
對于DDR3內(nèi)存來說，目前數(shù)據(jù)讀取訪問的機(jī)制是雙向傳輸。而在DDR4內(nèi)存中，訪問機(jī)制已經(jīng)改為了點對點技術(shù)，這是DDR4整個存儲系統(tǒng)的關(guān)鍵性設(shè)計。
點對點相當(dāng)于一條主管道只對應(yīng)一個水箱（這種機(jī)制的改變其實并不會對傳輸速度產(chǎn)生太大的影響，因為主管道的大小并沒有改變），這樣設(shè)計的好處可以大大簡化內(nèi)存模塊的設(shè)計、更容易達(dá)到更高的頻率。
四、封裝技術(shù)
DDR4內(nèi)存采用3DS封裝技術(shù)，3DS（3-Dimensional Stack，三維堆疊）技術(shù)是DDR4內(nèi)存中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，它用來增大單顆芯片的容量。
在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。
五、外觀
DDR3內(nèi)存金手指是240個，內(nèi)存金手指是平直的；而DDR4內(nèi)存金手指是284個，內(nèi)存金手指呈彎曲狀。
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