CPU是如何制作出來的？cpu的制造流程介紹
我要評論再通過氧等離子體對光刻膠進(jìn)行灰化處理，清除光刻膠。這樣就完成了第一層設(shè)計(jì)好的電路圖案。
對于3D FinFET設(shè)計(jì)的晶體管，還需要重復(fù)前面的幾個(gè)步驟，以獲得3D晶體管。
然后在特定的區(qū)域，導(dǎo)入特定雜質(zhì)，雜質(zhì)擴(kuò)散能控制導(dǎo)電類型（P結(jié)、N結(jié)）之外，還能控制雜質(zhì)濃度以及分布。目前主要是用離子注入法來完成雜質(zhì)擴(kuò)散，也是超大規(guī)模集成電路中不可缺少的工藝。
這時(shí)可以清除掉殘留下來的光刻膠掩模，經(jīng)過離子注入單晶硅內(nèi)部小部分硅原子已經(jīng)被替換成“雜質(zhì)”元素，就能產(chǎn)生可自由電子或空穴。
至此，基本完成晶體管雛形，接下來需要在在硅晶圓表面全面地沉積氧化硅膜，形成絕緣層，并且需要在層間絕緣膜上開孔，這樣能引出導(dǎo)體電極。
接下來需要在晶圓表面上沉積銅層，形成場效應(yīng)管的源極、漏極、柵極，再在晶圓表面沉積一層絕緣層以能保護(hù)晶體管。
經(jīng)過這些復(fù)雜的過程，晶體管算是制作完成，后面需要做的就是把這些晶體管連接起來，通過覆蓋銅層、光刻掩模、蝕刻開孔等操作來實(shí)現(xiàn)，期間還要利用大馬士革法新的布線方式完成多層Cu立體化布線。
到了這一步，芯片電路基本完成，這中間需要幾百道不同精累化工藝加工，任何錯誤都會導(dǎo)致晶圓報(bào)廢。
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